[发明专利]一种基于MCP封装形式的可重构算子阵列结构的规模扩展方法有效

专利信息
申请号: 201110403768.X 申请日: 2011-12-06
公开(公告)号: CN103151316B 公开(公告)日: 2017-10-20
发明(设计)人: 雍珊珊;王新安;蓝晶;吴承昊;龙晓波;高国华 申请(专利权)人: 北京大学深圳研究生院;南通富士通微电子股份有限公司
主分类号: H01L21/98 分类号: H01L21/98;H01L25/065
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518055 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 mcp 封装 形式 可重构 算子 阵列 结构 规模 扩展 方法
【权利要求书】:

1.一种基于MCP封装形式的可重构算子阵列结构的规模扩展方法,所述方法即通过将多个可重构算子阵列结构芯片的临近IO相连,单个芯片的未连接IO作为阵列结构的IO被引出,经过封装,从而形成多种规模的阵列结构芯片,其特征在于:所述方法步骤一为将多块可重构算子阵列结构芯片放在一块基板上,并使其固定,需要连接的IO为邻近可重构算子阵列结构芯片相邻边的IO,根据需要可以将n个邻近芯片的相邻边的IO相连,n代表大于1的整数,所述邻近芯片的分布是一维线性相邻或二维相邻;所述方法步骤二为光刻,在所有芯片的IO处形成连接通孔,在需要连接的IO之间形成通道,除了通孔和通道以外的其他部分被绝缘氧化物所填充;所述方法步骤三为蒸铝,填充IO的连接通孔以及IO之间的通道,形成第一层金属层,其中将需要引出的IO通过连接通孔引到第一层金属上,在第一层金属上实现邻近芯片的相邻边的IO的连接;所述方法步骤四为光刻,在需要连接出的IO处形成连接通孔,其它地方被绝缘氧化物所覆盖;所述方法步骤五为蒸铝,填充IO的连接通孔,露出电性端子。

2.如权利要求1所述的一种基于MCP封装形式的可重构算子阵列结构的规模扩展方法,其特征在于:所述方法步骤六为在每个电性端子处生长凸点,完成封装。

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