[发明专利]一种基于MCP封装形式的可重构算子阵列结构的规模扩展方法有效
申请号: | 201110403768.X | 申请日: | 2011-12-06 |
公开(公告)号: | CN103151316B | 公开(公告)日: | 2017-10-20 |
发明(设计)人: | 雍珊珊;王新安;蓝晶;吴承昊;龙晓波;高国华 | 申请(专利权)人: | 北京大学深圳研究生院;南通富士通微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/98 | 分类号: | H01L21/98;H01L25/065 |
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地址: | 518055 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 mcp 封装 形式 可重构 算子 阵列 结构 规模 扩展 方法 | ||
1.一种基于MCP封装形式的可重构算子阵列结构的规模扩展方法,所述方法即通过将多个可重构算子阵列结构芯片的临近IO相连,单个芯片的未连接IO作为阵列结构的IO被引出,经过封装,从而形成多种规模的阵列结构芯片,其特征在于:所述方法步骤一为将多块可重构算子阵列结构芯片放在一块基板上,并使其固定,需要连接的IO为邻近可重构算子阵列结构芯片相邻边的IO,根据需要可以将n个邻近芯片的相邻边的IO相连,n代表大于1的整数,所述邻近芯片的分布是一维线性相邻或二维相邻;所述方法步骤二为光刻,在所有芯片的IO处形成连接通孔,在需要连接的IO之间形成通道,除了通孔和通道以外的其他部分被绝缘氧化物所填充;所述方法步骤三为蒸铝,填充IO的连接通孔以及IO之间的通道,形成第一层金属层,其中将需要引出的IO通过连接通孔引到第一层金属上,在第一层金属上实现邻近芯片的相邻边的IO的连接;所述方法步骤四为光刻,在需要连接出的IO处形成连接通孔,其它地方被绝缘氧化物所覆盖;所述方法步骤五为蒸铝,填充IO的连接通孔,露出电性端子。
2.如权利要求1所述的一种基于MCP封装形式的可重构算子阵列结构的规模扩展方法,其特征在于:所述方法步骤六为在每个电性端子处生长凸点,完成封装。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造