[发明专利]利用DNA序列自断裂和高能指数面的纳米金晶体检测L-组氨酸的方法无效
申请号: | 201110404258.4 | 申请日: | 2011-12-07 |
公开(公告)号: | CN102495125A | 公开(公告)日: | 2012-06-13 |
发明(设计)人: | 李丽东 | 申请(专利权)人: | 北京航空航天大学 |
主分类号: | G01N27/48 | 分类号: | G01N27/48;G01N27/38 |
代理公司: | 北京永创新实专利事务所 11121 | 代理人: | 姜荣丽 |
地址: | 100191*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 利用 dna 序列 断裂 高能 指数 纳米 晶体 检测 组氨酸 方法 | ||
1.利用DNA序列自断裂和高能指数面的纳米金晶体检测L-组氨酸的方法,其特征在于如下步骤:
第一步:晶种溶液的制备:把NaBH4溶液倒入含有浓度为0.1M的CTAB和浓度为0.5mM的HAuCl4的溶液中剧烈搅拌,溶液的颜色由黄色变为深棕色,表明金颗粒的形成,之后,晶种溶液静置1小时以备后用;
第二步:生长液的制备:把CTAB粉末溶解在浓度为0.01M的DDAB溶液中配制成双表面活性剂溶液,并且使双表面活性剂溶液中CTAB和DDAB的摩尔比为4;在该双表面活性剂溶液中,依次加入:浓度为1mM的HAuCl4溶液,浓度为0.01M的AgNO3溶液,浓度为0.5M H2SO4溶液和浓度为0.1M的丙烯酸溶液制备出生长液,该生长液的pH值为2.7;如果DDAB溶液的体积为V,则加入双表面活性剂溶液中的各溶液体积分别为:V、0.02V、0.008V和0.016V;
第三步:取第一步中制备得到的晶种溶液,将晶种溶液混入第二步中制备的生长液中,30℃下保持10小时,得到具有高能指数面的纳米金晶体,即拉长二十四面体;
第四步,双链DNA的制备:在I-B缓冲溶液中配置混合溶液,混合溶液中含有1μMDNA1、1μM DNA2和1mM TCEP,将混合溶液放置在90℃水浴下保持5分钟,然后自然冷却到常温;使用前放入-20℃条件下保存;
第五步,玻碳电极表面的预处理:
(1)玻碳电极的清洗;
(2)将浓度为5mg ml-1的纳米金晶体的乙醇溶液均匀滴在清洗后的玻碳电极上直至完全干燥,然后用乙醇反复清洗直至洗去纳米金晶体上的表面活性剂,然后用二次去离子水冲洗干净至干燥,得到纳米金晶体修饰的玻碳电极;
(3)再移取第四步中制备的双链DNA混合溶液滴在由纳米金晶体修饰的玻碳电极上,在室温下保持100%湿度放置20小时后,分别用Tris-HCl缓冲液和二次去离子水冲洗,用氮气吹干,得到双链DNA修饰的玻碳电极;
(4)再滴加浓度为1mM的巯基己醇到第(3)步中双链DNA修饰的玻碳电极表面,室温下保持半小时,然后分别用Tris-HCl缓冲液和二次去离子水冲洗,即得到最终的修饰后的玻碳电极传感器;
第六步,L-组氨酸的电化学方波检测:对于L-组氨酸的检测,将经过第五步修饰后的玻碳电极传感器放入具有不同浓度的L-组氨酸的I-B缓冲溶液里进行即时检测,检测所选用的方波扫描范围为0-0.8V。
2.根据权利要求1所述的利用DNA序列自断裂和高能指数面的纳米金晶体检测L-组氨酸的方法,其特征在于:所述的I-B缓冲溶液为含有20mM Tris-HCl,pH=7.41,140mMNaCl,20mM MgCl和20mMKCl的溶液。
3.根据权利要求1所述的利用DNA序列自断裂和高能指数面的纳米金晶体检测L-组氨酸的方法,其特征在于:所述的玻碳电极的清洗步骤为:(a)将玻碳电极在纱布抛光纸上分别用粒径为1.0μm、0.3μm和0.05μm的氧化铝抛光粉进行打磨;(b)将玻碳电极分别在乙醇和二次去离子水中超声两分钟;(c)进行电化学清洗,具体为:玻碳电极在0.5M的H2SO4溶液中,在-0.2和+1.6V之间进行循环伏安扫描,直到获得典型的循环伏安谱图。
4.根据权利要求1所述的利用DNA序列自断裂和高能指数面的纳米金晶体检测L-组氨酸的方法,其特征在于:电化学方波检测选用三电极体系:工作电极是采用玻碳电极传感器的圆盘玻碳电极,电极直径2mm,参比电极是Ag/AgCl电极,对电极是铂丝电极。
5.根据权利要求1所述的利用DNA序列自断裂和高能指数面的纳米金晶体检测L-组氨酸的方法,其特征在于:第一步中NaBH4溶液的浓度为0.01M。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京航空航天大学,未经北京航空航天大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110404258.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。