[发明专利]稳压器有效
申请号: | 201110404575.6 | 申请日: | 2011-12-07 |
公开(公告)号: | CN102566638A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 黄健忠 | 申请(专利权)人: | 联发科技(新加坡)私人有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 北京万慧达知识产权代理有限公司 11111 | 代理人: | 于淼;张一军 |
地址: | 新加坡启汇城*** | 国省代码: | 新加坡;SG |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 稳压器 | ||
1.一种稳压器,用以于一输出节点提供一低压降电压,其特征在于,包括:一核心电路和至少一复制单元,
该核心电路,包括:
一放大器,具有用于接收一输入电压的一非反相输入端、一反相输入端以及一输出端;
一第一电阻,耦接于一接地端以及该放大器的反相输入端之间;
一第二电阻,具有耦接于该放大器的反相输入端的一第一端以及一第二端;以及
一基本单元,包括:
一第一晶体管,耦接于一第一电压源以及该第二电阻的第二端之间,具有一栅极;
一第一电流源,耦接于该第一电压源以及该第一晶体管的栅极之间,用以提供一偏压电流;
一第二晶体管,具有耦接于该第二电阻的第二端的一第一端、耦接于该放大器的输出端的一栅极以及一第二端,其中该第一晶体管及该第二晶体管为不同类型的金氧半导体晶体管;以及
一第一电流镜,耦接于一第二电压源、该第一电流源以及该第二晶体管的第二端;
该至少一复制单元,根据该放大器的输出端的电压在该输出节点产生该低压降电压,
其中该低压降电压的电压水平是根据该输入电压以及该第二电阻与该第一电阻的比值而决定。
2.如权利要求1所述的稳压器,其特征在于,
该第一晶体管为N型金氧半导体晶体管而该第二晶体管为P型金氧半导体晶体管,以及其中该第一电压源及该第二电压源分别用以提供一供应电压以及一接地信号;
或者,该第一晶体管为P型金氧半导体晶体管而该第二晶体管为N型金氧半导体晶体管,以及其中该第一电压源及该第二电压源分别用以提供一接地信号以及一供应电压。
3.如权利要求1所述的稳压器,其特征在于,该复制单元包括:
一第三晶体管,耦接于该第一电压源以及该输出节点之间,具有一栅极;
一第二电流源,耦接于该第一电压源以及该第三晶体管的栅极之间,用以提供匹配于该偏压电流的一电流;
一第四晶体管,具有耦接于该输出节点的一第一端、耦接于该放大器的输出端的一栅极以及一第二端,其中该第三晶体管及该第四晶体管为不同类型的金氧半导体晶体管,且该第四晶体管的尺寸与该第二晶体管的尺寸相匹配;以及
一第二电流镜,耦接于该第二电压源、该第二电流源以及该第四晶体管的第二端;
其中该第一晶体管以及该第三晶体管为原生性组件。
4.如权利要求3所述的稳压器,其特征在于
该第一晶体管以及该第三晶体管为N型金氧半导体晶体管,而该第二晶体管以及该第四晶体管为P型金氧半导体晶体管,以及其中该第一电压源及该第二电压源分别用以提供一供应电压以及一接地信号;
或者,该第一晶体管以及该第三晶体管为P型金氧半导体晶体管,而该第二晶体管以及该第四晶体管为N型金氧半导体晶体管,以及其中该第一电压源及该第二电压源分别用以提供一接地信号以及一供应电压。
5.如权利要求3所述的稳压器,其特征在于,更包括:一滤波器,耦接于该第二晶体管的栅极以及该第四晶体管的栅极之间,用以过滤来自该放大器的输出端的电压的噪声。
6.如权利要求3所述的稳压器,其特征在于,该核心电路更包括:
一第一开关,耦接于该第一电压源以及该第一晶体管之间;以及
一第二开关,耦接于该第二电压源以及该第二晶体管的栅极之间,以及
该复制单元更包括:
一第三开关,耦接于该第一电压源以及该第三晶体管之间;其中当该稳压器断电时,该第一开关与该第三开关为不导通而该第二开关为导通,以及当该第三开关导通时,该第一开关为导通而该第二开关为不导通。
7.如权利要求1所述的稳压器,其特征在于,该第一电流镜包括:
一第一镜射晶体管,耦接于该第二电压源以及该第一电流源之间;以及
一第二镜射晶体管,耦接于该第二电压源以及该第二晶体管之间,具有一栅极耦接至该第一镜射晶体管的栅极以及该第二晶体管的第二端。
8.如权利要求1所述的稳压器,其特征在于,其中该核心电路更包括:
一第一开关,耦接于该第一电压源以及该第一晶体管之间;以及
一第二开关,耦接于该第二电压源以及该第二晶体管的栅极之间,
其中当该稳压器断电时,该第一开关为不导通而该第二开关为导通,以及当该稳压器通电时,该第一开关为导通而该第二开关为不导通。
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