[发明专利]低电阻高功率连接方法无效
申请号: | 201110405304.2 | 申请日: | 2011-12-08 |
公开(公告)号: | CN102522451A | 公开(公告)日: | 2012-06-27 |
发明(设计)人: | 刘亚锋 | 申请(专利权)人: | 常州天合光能有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/05 |
代理公司: | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人: | 王凌霄 |
地址: | 213031 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电阻 功率 连接 方法 | ||
1.一种低电阻高功率连接方法,其特征是:包括电池片(1)和与电池片(1)背电极相连的导电背板,所述的导电背板从上至下依次由正面聚氟乙烯膜(2)、与电池片(1)叠层位置相同的导电铜箔(3)、聚对苯二甲酸乙二酯(4)和背面聚氟乙烯膜(5)叠合而成,所述的导电铜箔(3)上层对应的正面聚氟乙烯膜(2)上开设有至少一条与电池片(1)背电极相对应的开口(21),所述的电池片(1)与导电背板之间连接有互连条(6),互连条(6)一端与电池片(1)背电极相连接,另一端通过开口(21)与导电背板上的导电铜箔(3)相连接。
2.根据权利要求1所述的低电阻高功率连接方法,其特征是:所述的导电铜箔(3)形状为正方形,其厚度为20~50μm。
3.根据权利要求2所述的低电阻高功率连接方法,其特征是:所述的导电铜箔(3)厚度为35μm。
4.根据权利要求1所述的低电阻高功率连接方法,其特征是:所述的开口(21)长度比电池片(1)背电极长1~3mm,开口(21)宽度比电池片(1)背电极宽0.1~1mm。
5.根据权利要求4所述的低电阻高功率连接方法,其特征是:所述的开口(21)长度比电池片(1)背电极长2mm,开口(21)宽度比电池片(1)背电极宽0.5mm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的