[发明专利]低电阻高功率连接方法无效
申请号: | 201110405304.2 | 申请日: | 2011-12-08 |
公开(公告)号: | CN102522451A | 公开(公告)日: | 2012-06-27 |
发明(设计)人: | 刘亚锋 | 申请(专利权)人: | 常州天合光能有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/05 |
代理公司: | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人: | 王凌霄 |
地址: | 213031 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电阻 功率 连接 方法 | ||
技术领域
本发明涉及太阳能组件的生产方法,尤其是一种低电阻高功率连接方法。
背景技术
传统晶体硅太阳能电池组件,构成包括一组太阳能电池片串,太阳能电池片的正面和与其相邻的太阳能电池片的背面通过互连条连接,通常电池片的正面、背面电极与互连条的连接均采用焊接的方式。目前的连接方式,焊带的体电阻约占到整个电池串联电阻的30%以上,为了降低组件的串联电阻,组件端最直接的方法是降低焊带体电阻,降低焊带体电阻的传统方法是增加连接焊带的厚度,当焊带的宽度一定的情况下,焊带的厚度越大,从而导致的电池片弯曲应力相应增大,这就增加了电池片的破片率。
发明内容
本发明要解决的技术问题是:为了克服上述中存在的问题,提供一种低电阻高功率连接方法,其达到降低组件的串联电阻的同时降低反射率,提高太阳能电池组件的转换效率和输出功率。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:一种低电阻高功率连接方法,包括电池片和与电池片背电极相连的导电背板,所述的导电背板从上至下依次由正面聚氟乙烯膜、与电池片叠层位置相同的导电铜箔、聚对苯二甲酸乙二酯和背面聚氟乙烯膜叠合而成,所述的导电铜箔上层对应的正面聚氟乙烯膜上开设有至少一条与电池片背电极相对应的开口,所述的电池片与导电背板之间连接有互连条,所述的互连条一端与电池片背电极相连接,另一端通过开口与导电背板上的导电铜箔相连接。
进一步地,所述的导电铜箔形状为正方形,尺寸比电池略大,其厚度为20~50μm。
所述的导电铜箔厚度为35μm。
所述的开口长度比电池片背电极长1~3mm,开口宽度比电池片背电极宽0.1~1mm,在生产前用胶带密封,防止氧化。
所述的开口长度比电池片背电极长2mm,开口宽度比电池片背电极宽0.5mm。
本发明的有益效果是:本发明的低电阻高功率连接方法,通过背面的大截面积铜箔大大降低组件串阻,提高组件功率;电池片背面使用镀有高反射的镀层的聚氟乙烯膜,避免了铜箔降低反射率造成的电流电压损失,保证了功率的提高;背板中铜箔开口位置较小,可以通过胶带密封,防止氧化,在组件制造中免去了去除氧化层的步骤,提高产能;电池片与铜箔通过电极相连,避免了工艺中电池片和焊带偏移造成的电池片与其他铜箔发生短路的现象。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
图1是本发明的侧视图;
图2是本发明的主视图;
图3是本发明的电池片与导电背板之间的连接结构示意图。
图中1.电池片,2.正面聚氟乙烯膜,21.开口,3.导电铜箔,4.聚对苯二甲酸乙二酯;5.背面聚氟乙烯膜,6.互连条。
具体实施方式
现在结合附图对本发明作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图,仅以示意方式说明本发明的基本结构,因此其仅显示与本发明有关的构成。
如图1和图3所示的低电阻高功率连接方法,包括电池片1和与电池片1背电极相连的导电背板,导电背板从上至下依次由正面聚氟乙烯膜2、与电池片1叠层位置相同的导电铜箔3、聚对苯二甲酸乙二酯4和背面聚氟乙烯膜5叠合而成,导电铜箔3形状为正方形,尺寸比电池片大3mm,其厚度为35μm,电池片1与导电背板之间连接有互连条6,互连条6一端与电池片1背电极相连接,另一端通过开口21与导电背板上的导电铜箔3相连接。
如图2所示的低电阻高功率连接方法,导电铜箔3上层对应的正面聚氟乙烯膜2上开设有两条与电池片1背电极相对应的开口21,开口21长度比电池片1背电极长2mm,开口21宽度比电池片1背电极宽0.5mm,开口21处在生产前用胶带密封,防止氧化。
本发明的低电阻高功率连接方法的设计步骤:首先对电池片1单焊,撕去导电背板开口处密封胶,在导电背板上铺放开口的EVA或在非配线部分铺放条状EVA,利用导电胶把电池片1背电极与开口21处导电铜箔连接,铺放电池片1正面EVA,铺放玻璃,最后进行层压。
以上述依据本发明的理想实施例为启示,通过上述的说明内容,相关工作人员完全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内,进行多样的变更以及修改。本项发明的技术性范围并不局限于说明书上的内容,必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的