[发明专利]通过调整陶瓷品表面粗糙度来改善设备颗粒状况的方法无效

专利信息
申请号: 201110407858.6 申请日: 2011-12-09
公开(公告)号: CN103159508A 公开(公告)日: 2013-06-19
发明(设计)人: 温海东;夏志刚;李顺义 申请(专利权)人: 上海华虹NEC电子有限公司
主分类号: C04B41/91 分类号: C04B41/91;H01L21/67
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 高月红
地址: 201206 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 通过 调整 陶瓷 表面 粗糙 改善 设备 颗粒 状况 方法
【权利要求书】:

1.一种调整陶瓷品表面粗糙度来改善设备颗粒状况的方法,其特征在于:所述方法是改善DPS Trench etch刻蚀工艺中出现的颗粒状况方法,步骤包括:通过将dome陶瓷品的表面粗糙度控制在2.5~3.5μm之间。

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于:所述表面粗糙度为表面粗糙度平均值。

3.如权利要求1所述的方法,其特征在于:所述DPS Trench etch刻蚀工艺,是以Cl2/HBr进行的DPS Trench etch刻蚀工艺。

4.如权利要求3所述的方法,其特征在于:所述Cl2/HBr的体积比为20∶90。

5.如权利要求1所述的方法,其特征在于:所述方法,步骤包括:

(1)对废弃的dome陶瓷品,进行研磨、喷沙、再研磨处理;

(2)将dome陶瓷品的表面粗糙度平均值控制在2.5~3.5μm。

6.如权利要求5所述的方法,其特征在于:所述步骤(1)中,废弃的dome陶瓷品是表面粗糙度大于1.5μm的dome陶瓷品。

7.如权利要求5所述的方法,其特征在于:所述步骤(1)中,用化学药液研磨、用细沙进行喷沙、再化学药液研磨处理。

8.如权利要求5所述的方法,其特征在于:所述步骤(2)中,用表面粗糙度仪器检测dome陶瓷品的面内13点,来确认dome陶瓷品的表面粗糙度平均值已控制在2.5~3.5μm。

9.如权利要求8所述的方法,其特征在于:所述面内13点为:面内中心一点,中心点外两圈各6点。

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