[发明专利]通过调整陶瓷品表面粗糙度来改善设备颗粒状况的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种集成电路制造中颗粒的改善方法，特别是涉及一种通过调整陶瓷品表面粗糙度来改善设备颗粒状况的方法。

背景技术

Dome片(锅仔片或金属弹片)，是一块包含金属弹片(锅仔片)的PET带胶的薄片、按照线路板上对应的PAD(焊盘)位置来安排每一个金属弹片(锅仔片)的位置，以及其他元器件来设置对应的避空位及定位孔等。

Dome片的工作原理是金属弹片位于PCB/FPC板上的导电部位，当受到按压时，弹片的中心点下凹，接触到PCB上的线路，从而形成回路，电流通过，整个产品就得以正常工作。因此，Dome片是各种电子开关设备中不可或缺的一部分，主要用于手机、对讲机、无绳电话、MP3、MP4、iPhone、轻触开关、薄膜开关、电子仪器设备等，在使用者与仪器之间起到一个重要的触感型开关的作用。与传统的硅胶按键相比，导电膜有更好的手感、更长的寿命。

现有DPS Trench etch(数控电源沟槽)刻蚀工艺多使用Cl₂/HBr等气体，加上由于是hard mask(硬掩膜)做掩膜，没有光刻胶生成物，而生成物中只有较多Cl₂和HBr成分，对刻蚀腔生成物粘力作用较小，容易引起腔体氛围不稳定，颗粒状态较差，颗粒破损率(Particle fail rate)在70％以上。

现有的dome(锅仔片或金属弹片)陶瓷品，其表面粗糙度在1.5μm以下，用在trench etch工艺上，会造成颗粒较差，因此，该类型dome陶瓷品不适用于trench etch工艺。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种通过调整陶瓷品表面粗糙度来改善设备颗粒状况的方法，该方法通过控制dome陶瓷品的表面粗糙度大小，以解决在DPS Trench etch刻蚀工艺中引起的颗粒较差问题。

为解决上述技术问题，本发明的调整陶瓷品表面粗糙度来改善设备颗粒状况的方法，是一种改善DPS Trench etch刻蚀工艺中出现的颗粒状况方法，步骤包括：通过将dome陶瓷品的表面粗糙度(表面粗糙度平均值)控制在2.5～3.5μm之间。

所述DPS Trench etch刻蚀工艺，是以Cl₂/HBr进行的DPS Trench etch刻蚀工艺，其中，Cl₂/HBr的体积比为20∶90。

上述方法，其具体步骤包括：

(1)对废弃的dome陶瓷品，进行研磨、喷沙、再研磨处理；

(2)将dome陶瓷品的表面粗糙度平均值控制在2.5～3.5μm。

所述步骤(1)中，废弃的dome陶瓷品是表面粗糙度大于1.5μm的dome陶瓷品。

所述步骤(1)中，用化学药液研磨、用细沙进行喷沙、再化学药液研磨处理。

所述步骤(2)中，用表面粗糙度仪器检测dome陶瓷品的面内13点(面内中心一点，中心点外两圈各6点)，来确认dome陶瓷品的表面粗糙度平均值已控制在2.5～3.5μm。

对于目前的使用Cl₂/HBr方式进行的DPS Trench etch刻蚀工艺中，出现的颗粒较差问题，可以按照本发明的方法，即通过控制dome陶瓷品的表面粗糙度大小，可以对后续进行的DPS Trench etch刻蚀工艺中腔体的氛围起到稳定作用，从而有效解决该工艺中出现的颗粒较差问题。

另外，本发明中采用废弃的dome陶瓷品，因此，可以实现对废弃dome陶瓷品的再利用，不仅节省成本，而且还环保。

附图说明

下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：

图1是Trench etch工艺流程图；

图2是本发明中控制dome陶瓷品的表面粗糙度前后的颗粒状况图；

图3是本发明中对dome陶瓷品的进行表面粗糙度处理的示意图；

图4是本发明中dome陶瓷品的内表面粗糙度处理后的效果图；

图5是本发明的检测dome陶瓷品的面内13点示意图。

具体实施方式

首先，通过以现有Cl₂/HBr方式进行DPS trench etch工艺(如图1所示)，对dome陶瓷品的表面粗糙度进行如下实验：