[发明专利]防止浅沟槽隔离边缘漏电的方法

权利要求书

1.一种防止浅沟槽隔离边缘漏电的方法，其特征在于，包括步骤：

1)在浅沟槽隔离上部硅边缘形成氮化硅侧墙；

2)当进行硅接触孔刻蚀时，采用对氮化硅和硅都为高选择比的工艺，刻蚀二氧化硅，使得在浅沟槽隔离边缘的孔刻蚀停止在该氮化硅侧墙层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤1)通过以下步骤实现：

(1)在多晶硅栅极上的氮化硅侧墙膜成长之前，采用各向异性的干法刻蚀，全面刻蚀二氧化硅氧化层，并使得浅沟槽隔离内的部分二氧化硅氧化层被刻蚀掉；

(2)在多晶硅栅极上，成长氮化硅侧墙膜；

(3)干法刻蚀氮化硅侧墙膜。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述步骤(1)中，使得浅沟槽隔离内的二氧化硅氧化层刻蚀掉1/3。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤2)中，采用对氮化硅和硅都为大于10∶1的选择比的刻蚀工艺。