[发明专利]一种具有高Ge组分的应变SiGe层的制备方法

权利要求书

1.一种具有高Ge组分的应变SiGe层的制备方法，其特征在于，该方法由以下步骤完成：

步骤一：准备硅衬底，并清洗；

步骤二：在硅衬底上制备一层应变硅，该应变硅的应变应小于0.3％；

步骤三：在步骤二所制备的应变硅上外延一层Ge组分较高的应变SiGe层，Ge组分可高达60％～90％。

2.根据权利要求1所述的具有高Ge组分的应变SiGe层的制备方法，其特征在于，在硅衬底上用低温硅(LT-Si)的方法制备应变硅层，以获得具有高Ge组分的应变SiGe层的制作方法如下：

①准备Si衬底1，采用单晶硅作为衬底，并对其进行清洗；

②在Si衬底1上，采用化学气相淀积(CVD)，在400℃的温度下，外延100nm的LT-Si层102；

③在LT-Si层102上，采用化学气相淀积(CVD)，以SiH₄，GeH₄为气源，在550℃下，外延100nmGe含量为20％的弛豫Si_0.8Ge_0.2层3；

④在弛豫Si_0.8Ge_0.2层3上，采用化学气相淀积(CVD)，在550℃下，生长一层50nm的应变Si层4；

⑤采用化学气相淀积(CVD)，以SiH₄，GeH₄为气源，在550℃下，在应变Si层4上外延一层Ge含量为65％的应变Si_0.35Ge_0.65层5。 

3.根据权利要求1所述的具有高Ge组分的应变SiGe层的制备方法，其特征在于，在硅衬底上用离子注入的方法制备应变硅层，以获得具有高Ge组分的应变SiGe层的制作方法如下：

①准备Si衬底1，采用单晶硅作为衬底，并对其进行清洗；

②用化学气相淀积(CVD)，以SiH₄，GeH₄为气源，在550℃下，外延100nmGe含量为20％的Si_0.8Ge_0.2层3；

③在Si衬底1和Si_0.8Ge_0.2层3之间，离子注入硼B和氧O，形成具有黏性和流动性的硼硅玻璃层202；

④进行高温快速热退火，修复Si_0.8Ge_0.2层3因离子注入造成的晶格损伤，并且使Si_0.8Ge_0.2层3中应变完全弛豫，采用的温度为900℃～1100℃，退火时间约为10s；

⑤在弛豫Si_0.8Ge_0.2层3上，采用化学气相淀积(CVD)，在550℃下，生长一层50nm的应变Si层4；

⑥采用化学气相淀积(CVD)，以SiH₄，GeH₄为气源，在550℃下，在应变Si层4上外延一层Ge含量为65％的应变Si_0.35Ge_0.65层5。