[发明专利]具有偏置阱的高压电阻器

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

掺杂区域；

绝缘器件，被设置在所述掺杂区域的部分上方；

电阻器，被设置在所述绝缘器件上方，其中，所述电阻器在一个末端处包括第一端，并在相对末端处包括第二端；以及

互连结构，被设置在所述电阻器上方，其中，所述互连结构连接到所述掺杂区域和所述电阻器的部分，所述电阻器的部分设置在所述第一端和所述第二端之间。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述电阻器具有长度L；

所述电阻器的部分电连接到所述掺杂区域，所述电阻器的部分与所述第一端和所述第二端中的一个分隔开沿着所述电阻器测量出的距离；以及

所述距离处于所述长度L的大约40％到所述长度L的大约60％的范围内。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，多晶硅电阻器的部分电连接到所述掺杂区域，所述掺杂区域与所述第一端和所述第二端的距离大致相同。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述掺杂区域被设置在衬底中，所述衬底的掺杂极性与所述掺杂区域的掺杂极性相反。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述电阻器包含多晶硅材料；以及

所述绝缘器件包含介电材料。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述掺杂区域包括重掺杂部分，所述重掺杂部分被设置在所述掺杂区域的上表面上并且邻近所述绝缘区域；并且

所述互连结构包括：

第一接触件，连接到所述掺杂区域的所述重掺杂部分；

第二接触件，连接到所述电阻器的部分；以及

互连线，连接到所述第一接触件和所述第二接触件。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述电阻器具有以下形状中的一种：之字形、方形、以及螺旋形。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述掺杂区域包括埋阱。

9.一种半导体器件，包括：

衬底，以第一掺杂极性进行掺杂；

掺杂阱，位于所述衬底中，所述掺杂阱具有第二掺杂极性，所述第二掺杂剂性与所述第一掺杂极性相反；

介电结构，位于所述掺杂阱上，其中，所述掺杂阱邻近所述介电结构的部分的掺杂浓度比所述掺杂阱的其余部分的掺杂浓度更高；以及

伸长的多晶硅结构，位于所述介电结构上；

其中：

所述伸长的多晶硅结构具有长度L；

所述掺杂阱邻近所述介电结构的部分电连接到所述伸长的多晶硅结构的部分，所述伸长的多晶硅结构的部分与所述伸长的多晶硅结构的中点相距预定距离，所述预定距离是沿着所述伸长的多晶硅结构测量出的；以及

所述预定距离处于大约0*L到大约0.1*L的范围内。

10.一种制造半导体器件的方法，包括：

在衬底中形成掺杂阱；

在所述掺杂阱上方部分地形成介电结构；

在所述介电结构上方形成伸长的电阻器，所述伸长的电阻器具有第一末端和第二末端，所述第二末端与所述第一末端相对；以及

在所述伸长的电阻器上方形成互连结构，其中，所述互连结构将所述掺杂阱和设置在所述第一末端和所述第二末端之间的所述伸长的电阻器的部分连接在一起。