[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

在栅极相反两侧的源区和漏区的上部形成硅化物，其中所述栅极形成于衬底上并在其所述相反两侧的侧壁上都具有第一侧壁间隔件和第二侧壁间隔件，所述第一侧壁间隔件具有水平部分和垂直部分，所述水平部分位于所述第二侧壁间隔件和所述衬底之间，所述垂直部分位于所述第二侧壁间隔件和所述侧壁之间；

在所述硅化物上选择性地沉积保护层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述保护层为导电材料。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述导电材料为钴钨磷化物(CoWP)或钴钼磷化物(CoMoP)。

4.根据权利要求1-3中任何一项所述的方法，其中所述保护层的厚度为20埃至100埃。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括：

蚀刻去除所述第二侧壁间隔件，其中所述保护层保护所述硅化物不被蚀刻去除。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述蚀刻去除所述第二侧壁间隔件的步骤是通过湿法或干法蚀刻工艺执行。

7.根据权利要求5所述的方法，其中在蚀刻去除所述第二侧壁间隔件之后，还包括：

沉积应力膜，以覆盖所述保护层以及所述第一侧壁间隔件。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述栅极邻近沟道区，

所述栅极邻近的沟道区是n型沟道区，所述应力膜是具有拉伸应力的膜；或者

所述栅极邻近的沟道区是p型沟道区，所述应力膜是具有压缩应力的膜。

9.根据权利要求1中所述的方法，其中在执行在所述硅化物上沉积保护层之前，还包括在所述栅极的上部形成硅化物，所述在所述硅化物上选择性地沉积保护层的步骤包括在栅极相反两侧的源区和漏区的上部、所述栅极上部的硅化物上选择性地沉积保护层。

10.一种半导体器件，包括：

衬底上的栅极；

所述栅极相反两侧的源区和漏区；

所述源区和漏区的上部的硅化物；

所述栅极相反两侧的侧壁上的侧壁间隔件；以及

所述硅化物上的保护层。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述保护层为导电材料。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中所述导电材料为钴钨磷化物(CoWP)或钴钼磷化物(CoMoP)。

13.根据权利要求10-12任何一项所述的半导体器件，其中所述保护层的厚度为20埃至100埃。

14.根据权利要求10所述的半导体器件，还包括覆盖所述保护层以及所述侧壁间隔件的应力膜。

15.根据权利要求14所述的半导体器件，其中所述栅极邻近沟道区，

所述栅极邻近的沟道区是n型沟道区，所述应力膜是具有拉伸应力的膜；或者

所述栅极邻近的沟道区是p型沟道区，所述应力膜是具有压缩应力的膜。

16.根据权利要求10所述的半导体器件，还包括所述栅极上部的硅化物以及所述栅极上部硅化物上的保护层。