[发明专利]半导体存储器及其制造方法无效
| 申请号： | 201110412811.9 | 申请日： | 2011-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN103165613A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 霍宗亮;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明;王宝筠 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体存储器件，为NOR型闪存存储阵列中的存储单元，其特征在于，包括：
衬底；
衬底上的立体沟道；
覆盖立体沟道表面的电荷俘获式存储叠层，所述电荷俘获式存储叠层包括隧穿层、电荷存储层、阻挡层，以及覆盖电荷俘获式存储叠层的栅电极。
2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其特征在于，所述立体沟道为鳍型、Ω型或纳米线型。
3.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其特征在于，所述隧穿层为SiO2、SiON、高k介质材料或他们的组合。
4.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其特征在于，所述电荷存储层为薄浮栅存储材料或电荷俘获存储材料。
5.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其特征在于，所述阻挡层为SiO2、Si3N4、Al2O3、高k介质材料或他们的组合。
6.一种半导体存储器件的制造方法，所述器件为NOR型闪存存储阵列中的存储单元，其特征在于，包括：
提供衬底；
在所述衬底上形成立体沟道；
覆盖立体沟道表面以形成电荷俘获式存储叠层以及其上的栅电极，所述电荷俘获式存储叠层包括隧穿层、电荷存储层和阻挡层。
7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述立体沟道为鳍型、Ω型或纳米线型。
8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，形成所述鳍型的立体沟道的步骤为：
刻蚀所述衬底并进行填充，在衬底中形成隔离区；
对所述隔离区进行回刻，暴露出所述隔离区之间的衬底的侧壁，以形成鳍型的立体沟道。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
