[发明专利]实现玻璃钝化二极管大功率应用的方法及器件有效
| 申请号： | 201110413121.5 | 申请日： | 2011-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN102569106A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 王智;许晓鹏;孙汉炳 | 申请（专利权）人： | 中国振华集团永光电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L25/07;H01L29/861 |
| 代理公司： | 贵阳中新专利商标事务所 52100 | 代理人： | 刘楠 |
| 地址： | 550018 贵*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 实现 玻璃 钝化 二极管 大功率 应用 方法 器件 | ||
1.一种实现玻璃钝化二极管大功率应用的方法，其特征在于：该方法是将多颗玻璃钝化单管以并联的方式烧结在金属底座上，玻璃钝化单管另一端与电极烧结；实现玻璃钝化二极管大功率方面的应用。
2.根据权利要求1所述实现玻璃钝化二极管大功率应用的方法，其特征在于：所述多颗玻璃钝化单管按玻璃钝化实体封装二极管正常工艺流程到成型工序。
3.根据权利要求1所述实现玻璃钝化二极管大功率应用的方法，其特征在于：所述多颗玻璃钝化单管应电气匹配，匹配原则按正向压降VF、反向击穿电压VBR和反向恢复时间trr的顺序进行筛选。
4.根据权利要求3所述实现玻璃钝化二极管大功率应用的方法，其特征在于：所述多颗玻璃钝化单管之间的正向压降差的绝对值|ΔVF|≤0.05V（IF=IO）、反向击穿电压差的绝对值|ΔVBR|≤10%VBR、反向恢复时间|Δtrr|≤20%trr。
5.根据权利要求1所述实现玻璃钝化二极管大功率应用的方法，其特征在于：所述玻璃钝化单管用线切割机切除引线，切割后的玻璃钝化单管高度差的绝对值|ΔH|≤0.1mm，切割后的玻璃钝化单管端面平整。
6.根据权利要求1所述实现玻璃钝化二极管大功率应用的方法，其特征在于：所述金属底座上设有与玻璃钝化单管数量相等的定位孔， 玻璃钝化单管坐落在定位孔上。
7.根据权利要求1所述实现玻璃钝化二极管大功率应用的方法，其特征在于：所述烧结采用铅锡银焊料；烧结炉温为430℃，烧结时间为45分钟。
8.一种玻璃钝化大功率二极管，其特征在于：包括底座（1），底座（1）上设有一组切除管引线的玻璃钝化单管（2），玻璃钝化单管（2）底部与底座（1）烧结，玻璃钝化单管（2）顶部与电极（3）烧结。
9.根据权利要求8所述玻璃钝化大功率二极管，其特征在于：所述底座（1）上设有定位孔（4）和固定孔（5）。
10.根据权利要求8所述玻璃钝化大功率二极管，其特征在于：所述定位孔（4）的数量等于玻璃钝化单管（2）的数量，定位孔（4）直径小于玻璃钝化单管（2）的直径，玻璃钝化单管（2）位于定位孔（4）中。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
