[发明专利]实现玻璃钝化二极管大功率应用的方法及器件

说明书

技术领域

本发明涉及一种实现玻璃钝化二极管大功率应用的方法及器件，属于半导体制造技术领域。

背景技术

目前市场上广泛应用的玻璃钝化实体封装二极管是一种利用特殊的熔凝玻璃对管芯进行包封的器件。由于其采用熔凝玻璃材料的热膨胀系数与硅和引线电极的材料-钼很接近，热匹配性能良好，制造中各部件被熔凝玻璃包封，熔凝为一实体，机械强度高，并能耐受温度的急骤变化。因此具有气密性好，体积小，工作温度区间宽，可靠性高等优点。但由于该类器件特有的结构以及制造工艺等各种因素的限制，在对其芯片进行设计时面积不能过大，这也导致了其只能在小功率范围内应用。目前市面上这种玻璃钝化封装二极管工作电流最大的仅为10A左右。

因此，市面上在大功率范围内应用的产品大多为金属封装的空封器件，制作过程复杂，零件、设备和封装的生产环境要求高。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种实现玻璃钝化二极管大功率应用的方法及器件。解决玻璃钝化封装二极管工作电流小的技术问题。

本发明的技术方案：

实现玻璃钝化二极管大功率应用的方法，该方法是将多颗玻璃钝化单管以并联的方式烧结在金属底座上，玻璃钝化单管另一端与电极烧结；实现玻璃钝化二极管大功率方面的应用。

前述实现玻璃钝化二极管大功率应用的方法中，所述多颗玻璃钝化单管按玻璃钝化实体封装二极管正常工艺流程到成型工序。

前述实现玻璃钝化二极管大功率应用的方法中，所述多颗玻璃钝化单管应电气匹配，匹配原则按正向压降V_F、反向击穿电压V_BR和反向恢复时间t_rr的顺序进行筛选。

前述实现玻璃钝化二极管大功率应用的方法中，所述多颗玻璃钝化单管之间的正向压降差的绝对值|ΔV_F|≤0.05V、反向击穿电压差的绝对值|ΔV_BR|≤10%V_BR、反向恢复时间|Δt_rr|≤20%t_rr。

前述实现玻璃钝化二极管大功率应用的方法中，所述玻璃钝化单管用线切割机切除引线，切割后的玻璃钝化单管高度差的绝对值|ΔH|≤0.1mm，切割后的玻璃钝化单管端面平整。

前述实现玻璃钝化二极管大功率应用的方法中，所述金属底座上设有与玻璃钝化单管数量相等的定位孔，玻璃钝化单管坐落在定位孔上。

前述实现玻璃钝化二极管大功率应用的方法中，所述烧结采用铅锡银焊料；烧结炉温为430℃，烧结时间为45分钟。

按照前述实现玻璃钝化二极管大功率应用的方法制备的玻璃钝化大功率二极管，包括底座，底座上设有一组切除管引线的玻璃钝化单管，玻璃钝化单管底部与底座烧结，玻璃钝化单管顶部与电极烧结。

前述玻璃钝化大功率二极管中，所述底座上设有定位孔和固定孔。

前述玻璃钝化大功率二极管中，所述定位孔的数量等于玻璃钝化单管的数量，定位孔直径小于玻璃钝化单管的直径，玻璃钝化单管位于定位孔中。

与现有技术相比，本发明利用玻璃钝化实体封装二极管的性能优点，通过多颗玻璃钝化单管并联的方式，将玻璃钝化单管烧结在金属底座上。在工艺上，按玻璃钝化实体封装二极管正常工艺流程到成型工序，然后采用单管匹配性测试、线切割、二次烧结等技术手段制成可以在大功率范围内应用的玻璃钝化实体封装二极管。

附图说明

图1是本发明的结构示意图；

图2是玻璃钝化单管；

图3是切除引线后的玻璃钝化单管；

图4是底座的结构示意图。

图中标记为：1-底座，2-玻璃钝化单管，3-电极，4-定位孔，5-固定孔，6-引线。

具体实施方式

本实施例不作为对本发明的任何限制。