[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201110414220.5 | 申请日: | 2011-12-13 |
公开(公告)号: | CN102569343A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 李律圭;柳春基;朴鲜;朴钟贤;文相晧;金那英 | 申请(专利权)人: | 三星移动显示器株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 余朦;王艳春 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种有机发光显示装置,包括:
至少一个晶体管,具有半导体层、栅电极、源电极及漏电极;
第一电容器,具有形成在与所述半导体层相同的层第一电极、形成在与所述栅电极相同的层的第二电极、以及形成在与所述源电极及漏电极相同的层的第三电极;
第二电容器,具有形成在与所述半导体层相同的层并且包含掺杂的离子杂质的第一电极、以及形成在与所述栅电极相同的层的第二电极;
像素电极,形成在与所述栅电极相同的层,并且与所述晶体管电连接;
发光层,位于所述像素电极上;以及
相对电极,与所述像素电极相对设置,并且在所述相对电极和所述像素电极之间设置有所述发光层。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其特征在于,
所述第一电容器与向所述至少一个晶体管供给电源电压的电源电压供给线连接,并且与所述电源电压供给线重叠。
3.根据权利要求2所述的有机发光显示装置,其特征在于,
所述至少一个晶体管为驱动晶体管,
所述第一电容器为向所述驱动晶体管施加电压的存储电容器。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其特征在于,
所述第一电容器的第一电极包括未掺杂离子杂质的半导体。
5.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其特征在于,
所述第一电容器的第一电极与第三电极通过接触孔连接。
6.根据权利要求5所述的有机发光显示装置,其特征在于,
所述第一电容器具有并联的、形成在所述第一电极和所述第二电极之间的第一静电电容以及形成在所述第二电极和所述第三电极之间的第二静电电容。
7.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其特征在于,
所述第一电容器的第二电极包含与所述栅电极相同的物质。
8.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其特征在于,
所述第一电容器的第三电极包含与所述源电极及漏电极相同的物质。
9.根据权利要求8所述的有机发光显示装置,其特征在于,
所述第一电容器的第三电极包括向所述至少一个晶体管供给电源电压的电源电压供给线。
10.根据权利要求3所述的有机发光显示装置,其特征在于,
所述第二电容器为与驱动晶体管的栅电极连接的补偿电容器。
11.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其特征在于,
所述第二电容器的第二电极为透明导电物质。
12.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其特征在于,所述栅电极包括:
第一层,包含透明导电物质;以及
第二层,包含金属。
13.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其特征在于,
所述像素电极由与所述栅电极相同的透明导电物质形成。
14.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其特征在于,
所述半导体层为非晶硅或者晶硅。
15.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其特征在于,
所述相对电极为反射从所述发光层释放的光的反射电极。
16.一种有机发光显示装置的制造方法,包括:
第一掩模工序,在基板上形成半导体层,图案化所述半导体层以形成晶体管的半导体层、第一电容器的第一电极和第二电容器的第一电极;
第二掩模工序,在第一掩模工序的结果物上形成第一绝缘层,在所述第一绝缘层上依次形成透明导电物质和第一金属并将其图案化,以形成晶体管的栅电极、像素电极、第一电容器的第二电极和第二电容器的第二电极;
第三掩模工序,在第二掩模工序的结果物上形成第二绝缘层,形成使所述半导体层的源区域及漏区域、所述像素电极、所述第一电容器的第一电极的一部分以及所述第二电容器的第二电极露出的多个接触孔;
第四掩模工序,在第三掩模工序的结果物上形成第二金属,图案化所述第二金属,以形成与所述源区域及漏区域连接的源电极及漏电极以及所述第一电容器的第三电极;以及
第五掩模工序,在第四掩模工序的结果物上形成第三绝缘层,在第三绝缘层形成开口以使所述像素电极的透明导电物质露出。
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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