[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201110414220.5 | 申请日: | 2011-12-13 |
公开(公告)号: | CN102569343A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 李律圭;柳春基;朴鲜;朴钟贤;文相晧;金那英 | 申请(专利权)人: | 三星移动显示器株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 余朦;王艳春 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及有机发光显示装置及其制造方法。
背景技术
有机发光显示装置不仅具有重量轻、厚度薄的优点,而且还具有视角广、响应速度快以及功耗低等优点,从而作为下一代显示装置而受人瞩目。
发明内容
本发明的目的在于提供制造工序简单并且开口率优异的有机发光显示装置及其制造方法。
根据本发明的一方面,提供有机发光显示装置,包括:具有半导体层、栅电极以及源电极与漏电极的至少一个以上的晶体管;具有第一电极、第二电极以及第三电极的第一电容器,其中,所述第一电极形成在与所述半导体层相同的层,所述第二电极形成在与所述栅电极相同的层,所述第三电极形成在与所述源电极与漏电极相同的层;具有第一电极与第二电极的第二电容器,其中,所述第一电极形成在与所述半导体层相同的层并且包含所掺杂的离子杂质,所述第二电极形成在与所述栅电极相同的层;形成在与所述栅电极相同的层并且与所述晶体管电连接的像素电极;位于所述像素电极上的发光层;以及与所述像素电极相对设置的相对电极,并且在所述相对电极和所述像素电极之间设置有所述发光层。
根据本发明的另一特征,所述第一电容器可以与向所述至少一个晶体管供给电源电压的电源电压供给线连接,并且与所述电源电压供给线重叠。
根据本发明的再一特征,所述至少一个晶体管为驱动晶体管、所述第一电容器可以为向所述驱动晶体管施加电压的存储电容器。
根据本发明的再一特征,所述第一电容器的第一电极可以包括未掺杂离子杂质的半导体。
根据本发明的再一特征,所述第一电容器的第一电极与第三电极可以通过接触孔连接。
根据本发明的再一特征,所述第一电容器可以并联形成在所述第一电极和所述第二电极之间的第一静电电容以及形成在所述第二电极和所述第三电极之间的第二静电电容。
根据本发明的再一特征,所述第一电容器的第二电极可以包含与所述栅电极相同的物质。
根据本发明的再一特征,所述第一电容器的第三电极可以包含与所述源电极及漏电极相同的物质。
根据本发明的再一特征,所述第一电容器的第三电极可以包括向所述至少一个晶体管供给电源电压的电源电压供给线。
根据本发明的再一特征,所述第二电容器可以为与驱动晶体管的栅电极连接的补偿电容器。
根据本发明的再一特征,所述第二电容器的第二电极可以为透明导电物质。
根据本发明的再一特征,所述栅电极可以包括:包含透明导电物质的第一层;以及包含金属的第二层。
根据本发明的再一特征,所述像素电极可以由与所述栅电极相同的透明导电物质形成。
根据本发明的再一特征,所述半导体层可以为非晶硅或者晶硅。
根据本发明的再一特征,所述相对电极可以为反射从所述发光层释放的光的反射电极。
根据本发明的另一方面,提供有机发光显示装置的制造方法,包括:第一掩模工序,在基板上形成半导体层,且图案化所述半导体层以形成晶体管的半导体层、第一电容器的第一电极和第二电容器的第一电极;第二掩模工序,在第一掩模工序的结果物上形成第一绝缘层,在所述第一绝缘层上依次形成透明导电物质和第一金属并将其图案化,以形成晶体管的栅电极、像素电极、第一电容器的第二电极和第二电容器的第二电极;第三掩模工序,在第二掩模工序的结果物上形成第二绝缘层,形成使所述半导体层的源区域及漏区域、所述像素电极、所述第一电容器的第一电极的一部分以及所述第二电容器的第二电极露出的多个接触孔;第四掩模工序,在第三掩模工序的结果物上形成第二金属,图案化所述第二金属,以形成与所述源区域及漏区域连接的源电极及漏电极以及所述第一电容器的第三电极;以及第五掩模工序,在第四掩模工序的结果物上形成第三绝缘层,并且在第三绝缘层形成开口以使所述像素电极的透明导电物质露出。
根据本发明的另一特征,所述第二掩模工序之后,在所述源区域及漏区域可以掺杂离子杂质。
根据本发明的再一特征,所述第四掩模工序可以包括:去除在所述像素电极和所述第二电容器的第二电极上层叠的所述第二金属的第一蚀刻工序;以及去除在所述像素电极与第二电容器的透明导电物质上形成的所述第一金属的第二蚀刻工序。
根据本发明的再一特征,在所述第四掩模工序中,以与所述第一金属相同的材料形成所述第二金属,并且可以同时蚀刻所述第一金属和所述第二金属。
根据本发明的再一特征,所述第四掩模工序之后、可以在所述第二电容器的第一电极掺杂离子杂质。
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