[发明专利]MOS器件及其形成方法

权利要求书

1.一种MOS器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底至少包括三个区域，其中，第一区域用于形成栅极区，与第一区域相邻的第二区域、第三区域分别用于形成源区与漏区；

刻蚀所述第一区域的半导体衬底形成开口，在所述开口内形成栅极绝缘层，之后形成部分位于所述开口内的栅极层；

在所述第二区域、第三区域分别进行不同深度的掺杂，形成均具有深结与浅结的源区与漏区；

在所述栅极层形成金属硅化物栅，源区与漏区形成金属硅化物接触。

2.根据权利要求1所述的MOS器件的形成方法，其特征在于，刻蚀所述第一区域的半导体衬底形成开口，在所述开口内形成栅极绝缘层，之后形成部分位于所述开口内的栅极层步骤包括：

在所述半导体衬底上形成第一介电层；

在所述第一介电层上定义出栅极区域；去除所述栅极区域的所述第一介电层及部分半导体衬底形成所述开口；

淀积栅极绝缘材质形成栅极绝缘层，所述栅极绝缘材质未填满所述开口；

淀积栅极材质形成栅极层，所述栅极材质填满所述开口，去除开口外的所述栅极绝缘材质及栅极材质；

去除所述第二区域与第三区域的第一介电层。

3.根据权利要求1所述的MOS器件的形成方法，其特征在于，刻蚀所述第一区域的半导体衬底形成开口，在所述开口内形成栅极绝缘层，之后形成部分位于所述开口内的栅极层步骤包括：

在所述半导体衬底上依次形成第一介电层与第二介电层，所述第一介电层与所述第二介电层材质不同；

在所述第二介电层上定义出栅极区域；去除所述栅极区域的所述第二介电层、所述第一介电层及部分半导体衬底形成所述开口；淀积栅极绝缘材质形成栅极绝缘层，所述栅极绝缘材质未填满所述开口；

淀积栅极材质形成栅极层，所述栅极材质填满所述开口，去除开口外的所述栅极绝缘材质及栅极材质；

去除所述第二区域与第三区域的第一介电层及第二介电层。

4.根据权利要求1所述的MOS器件的形成方法，其特征在于，在所述第二区域、第三区域分别进行不同深度的掺杂，形成均具有深结与浅结的源区与漏区步骤包括：

在所述栅极层两侧形成第一侧墙；

对所述第二区域与所述第三区域进行离子注入形成深结；

去除所述第一侧墙；

在所述栅极层两侧形成第二侧墙，所述第二侧墙厚度小于所述第一侧墙；

对所述第二区域与所述第三区域进行离子注入形成浅结。

5.根据权利要求1所述的MOS器件的形成方法，其特征在于，在所述栅极层形成金属硅化物栅，源区与漏区形成金属硅化物接触步骤包括：

在所述栅极层、源区与漏区淀积金属层；

高温下，所述栅极层材质、源区材质与漏区材质分别与其上的金属层反应形成金属硅化物。

6.根据权利要求5所述的MOS器件的形成方法，其特征在于，所述半导体衬底为硅，所述金属层材质为钛、锂、钙、镁、铁中的至少一种。

7.根据权利要求2所述的MOS器件的形成方法，其特征在于，所述第一介电层材质为二氧化硅。

8.根据权利要求3所述的MOS器件的形成方法，其特征在于，所述第一介电层材质为二氧化硅，所述第二介电层材质为氮化硅，去除开口外的所述栅极绝缘材质及栅极材质步骤中，所述去除方法为CMP。

9.根据权利要求4所述的MOS器件的形成方法，其特征在于，所述第一侧墙材质为氮化硅，所述第二侧墙材质为二氧化硅。

10.一种MOS器件，其特征在于，包括：位于半导体衬底内的栅极绝缘层、部分位于所述半导体衬底内的栅极及所述栅极两侧的源区与漏区；其中，所述栅极为金属硅化物栅，源区与漏区各自的浅结与深结形成有金属硅化物接触。

11.根据权利要求10所述的MOS器件，其特征在于，所述半导体衬底内的栅极的两侧与其底部的所述栅极绝缘层材质相同。

12.根据权利要求10所述的MOS器件，其特征在于，所述金属硅化物接触材质为硅化钛、硅化锂、硅化钙、镁硅化、硅化铁中的至少一种。

13.根据权利要求10所述的MOS器件，其特征在于，位于所述半导体衬底内的栅极的高度范围为5～100nm。