[发明专利]基于光刻工艺窗口的OPC修正方法有效
申请号: | 201110415310.6 | 申请日: | 2011-12-13 |
公开(公告)号: | CN103163728A | 公开(公告)日: | 2013-06-19 |
发明(设计)人: | 陈福成 | 申请(专利权)人: | 上海华虹NEC电子有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 刘昌荣 |
地址: | 201206 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 光刻 工艺 窗口 opc 修正 方法 | ||
1.一种基于光刻工艺窗口的OPC修正方法,其特征在于,对光刻版图中的不同图形,在计算图形的边缘位置误差时,设定不同的光刻模型权重。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,根据图形测量点的光罩误差加强因子、光强最大值、光强最小值和斜率设定所述权重。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,设定权重的步骤包括:
1)使用最佳光刻条件模型模拟标准图形,计量出标准图形的光强最大值Imax、光强最小值Imin和斜率Slope值的范围,获得标准图形的光刻原始数据;
2)根据步骤1获得的标准图形的光刻原始数据,计算出标准图形的光罩误差加强因子MEEF值的范围;
3)将设计规则处的Imax、Imin、Slope和MEEF的值与标准图形的Imax、Imin、Slope和MEEF的值的范围进行比较,确定各个参数的影响因子;
4)构建非最佳光刻条件模型的权重方程Wi=f(Imax,Imin,Slope,MEEF);
5)使用最佳光刻条件模型模拟光刻版图,得到光刻版图处的Imax、Imin、Slope和MEEF,代入步骤4)的权重方程,计算出此光刻版图处的权重。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,步骤3)中,所述设计规则是指当前层的最小线宽、最小空隙和最小周期,所述最小周期为最小线宽和最小空隙之和。
5.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,步骤4)中,Wi是Imax、Imin、Slope和MEEF的分段函数或者一阶函数。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备