[发明专利]基于光刻工艺窗口的OPC修正方法有效

专利信息
申请号: 201110415310.6 申请日: 2011-12-13
公开(公告)号: CN103163728A 公开(公告)日: 2013-06-19
发明(设计)人: 陈福成 申请(专利权)人: 上海华虹NEC电子有限公司
主分类号: G03F1/36 分类号: G03F1/36
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 刘昌荣
地址: 201206 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 基于 光刻 工艺 窗口 opc 修正 方法
【权利要求书】:

1.一种基于光刻工艺窗口的OPC修正方法,其特征在于,对光刻版图中的不同图形,在计算图形的边缘位置误差时,设定不同的光刻模型权重。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,根据图形测量点的光罩误差加强因子、光强最大值、光强最小值和斜率设定所述权重。

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,设定权重的步骤包括:

1)使用最佳光刻条件模型模拟标准图形,计量出标准图形的光强最大值Imax、光强最小值Imin和斜率Slope值的范围,获得标准图形的光刻原始数据;

2)根据步骤1获得的标准图形的光刻原始数据,计算出标准图形的光罩误差加强因子MEEF值的范围;

3)将设计规则处的Imax、Imin、Slope和MEEF的值与标准图形的Imax、Imin、Slope和MEEF的值的范围进行比较,确定各个参数的影响因子;

4)构建非最佳光刻条件模型的权重方程Wi=f(Imax,Imin,Slope,MEEF);

5)使用最佳光刻条件模型模拟光刻版图,得到光刻版图处的Imax、Imin、Slope和MEEF,代入步骤4)的权重方程,计算出此光刻版图处的权重。

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,步骤3)中,所述设计规则是指当前层的最小线宽、最小空隙和最小周期,所述最小周期为最小线宽和最小空隙之和。

5.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,步骤4)中,Wi是Imax、Imin、Slope和MEEF的分段函数或者一阶函数。 

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