[发明专利]基于光刻工艺窗口的OPC修正方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种基于光刻工艺窗口的OPC修正方法。

背景技术

目前光学临近效应修正(OPC，Optical Proximity Correction)技术，作为一种分辨率增强技术(RET，Resolution Enhancement Technology)，已普遍应用于0.13μm技术节点以上的关键层工艺。但是，随着半导体工艺尺寸的日益缩小，图形的设计规则(design rule)越来越小，同时也越来越复杂，如何配合光刻工艺，进行工艺窗口的扩大，也越来越成为OPC工艺的研究方向。

目前，常见的OPC修正方法是基于模型的OPC(Model Based OPC)，该模型是建立在光刻工艺取得最佳条件时所获取的OPC模型的原始数据之上的光刻模型，一般为最佳曝光能量最佳焦距光刻模型(这里简称最佳光刻条件模型)。除最佳光刻条件模型外，还有最佳曝光能量偏离最佳焦距光刻模型，以及偏离最佳能量最佳焦距光刻模型等，这些模型简称非最佳光刻条件模型。

在基于单一的最佳模型的OPC修正方法中，目标函数一般设为图形修正后的模拟值与目标值的差值，即EPE(edge placement error，边缘位置误差)的表达式为：

EPE＝CD_targ et-CD_sim

式中，CD_targ et为图形修正的目标值，CD_sim为图形修正后的模拟值。

而在基于光刻工艺窗口的OPC修正方法中，除最佳光刻条件模型之外，还必须使用一个或多个非最佳光刻条件模型，这里的非最佳光刻条件模型是指光刻条件为最佳曝光能量而焦距偏离最佳焦距的光刻模型、最佳焦距而曝光能量偏离最佳能量的光刻模型或者曝光能量偏离最佳能量且焦距偏离最佳焦距的光刻模型。其目标函数EPE_final的计算方法为：

EPEfinal=Wbest×EPEbest+Σi=1nWi×EPEi]]>

Wbest+Σi=1nWi=1]]>