[发明专利]半导体器件及其制造方法以及电源装置

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

包括载流子传输层和载流子供给层的氮化物半导体堆叠结构；

提供在所述氮化物半导体堆叠结构上方并包括活化区域和非活化区域的p-型氮化物半导体层；

提供在所述p-型氮化物半导体层中的所述非活化区域上的n-型氮化物半导体层；和

提供在所述p-型氮化物半导体层中的所述活化区域上方的栅电极。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述活化区域为具有固定电荷的区域，所述非活化区域为没有固定电荷的区域。

3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中所述p-型氮化物半导体层和所述n-型氮化物半导体层包括相同的氮化物半导体材料。

4.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中所述p-型氮化物半导体层包括GaN、AlN或InN晶体或其混合晶体，所述n-型氮化物半导体层包括GaN、AlN或InN晶体或其混合晶体。

5.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中所述p-型氮化物半导体层为p-型GaN层，所述n-型氮化物半导体层为n-型GaN层。

6.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中所述p-型氮化物半导体层中的所述活化区域与所述栅电极肖特基接触。

7.根据权利要求1或2所述的半导体器件，还包括：在所述p-型氮化物半导体层中的所述活化区域与所述栅电极之间的栅极绝缘膜。

8.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中所述氮化物半导体堆叠结构包括GaN、AlN或InN晶体或其混合晶体。

9.一种半导体器件，包括：

安装具有根据权利要求1或2所述的结构的半导体芯片的载台；

与所述半导体芯片中的栅极垫连接的栅极引线；

与所述半导体芯片中的源极垫连接的源极引线；

与所述半导体芯片中的漏极垫连接的漏极引线；和

封装树脂。

10.一种包括根据权利要求1或2所述的半导体器件的电源装置。

11.一种制造半导体器件的方法，包括：

形成包括载流子传输层和载流子供给层的氮化物半导体堆叠结构；

在所述氮化物半导体堆叠结构上方形成p-型氮化物半导体层；

在所述p-型氮化物半导体层上形成n-型氮化物半导体层；

移除所述n-型氮化物半导体层的一部分；

通过进行热处理在所述p-型氮化物半导体层的一部分中形成活化区域；和

在所述p-型氮化物半导体层中的所述活化区域上方形成栅电极。

12.根据权利要求11所述的制造半导体器件的方法，其中所述移除所述n-型氮化物半导体层的一部分包括用光电化学蚀刻移除所述n-型氮化物半导体层的所述部分。

13.根据权利要求11或12所述的制造半导体器件的方法，还包括：

在形成所述活化区域之前，形成覆盖所述p-型氮化物半导体层和所述n-型氮化物半导体层的表面的保护膜；和

在形成所述活化区域之后移除所述保护膜。

14.根据权利要求11或12所述的制造半导体器件的方法，其中所述氮化物半导体堆叠结构、所述p-型氮化物半导体层和所述n-型氮化物半导体层依次形成。

15.根据权利要求11或12所述的制造半导体器件的方法，其中形成所述n-型氮化物半导体层包括：使用与所述p-型氮化物半导体层相同的氮化物半导体材料形成所述n-型氮化物半导体层。

16.根据权利要求11或12所述的制造半导体器件的方法，其中形成所述p-型氮化物半导体层包括：形成包括GaN、AlN或InN晶体或其混合晶体的p-型氮化物半导体层，并且形成所述n-型氮化物半导体层包括：形成包括GaN、AlN或InN晶体或其混合晶体的n-型氮化物半导体层。

17.根据权利要求11或12所述的制造半导体器件的方法，其中形成所述p-型氮化物半导体层包括形成p-型GaN层，形成所述n-型氮化物半导体层包括形成n-型GaN层。