[发明专利]一种并列型光电探测器

权利要求书

1.一种并列型光电探测器，包括半导体材料构成的p区、轻掺杂的本征的i区和n区，其特征在于：所述的p区、i区和n区被绝缘层(15)分割成独立的两个部分，p区一(7)、i区一(8)和n区一(9)以及电极一(1)和电极二(2)构成一个光电探测元件一；p区二(10)、i区二(11)和n区二(12)以及电极三(3)和电极四(4)构成另一个光电探测元件二，光电探测元件一和光电探测元件二为圆环形，且光电探测元件一在光电探测元件二外侧，在p区一(7)和p区二(10)分别还有镀覆有防反射层一(5)和防反射层二(6)。

2.根据权利要求1所述的一种并列型光电探测器，其特征在于，所述的绝缘层(15)是二氧化硅层。

3.根据权利要求1所述的一种并列型光电探测器，其特征在于，所述的防反射层一(5)和防反射层二(6)是由二氧化硅构成。

4.根据权利要求1所述的一种并列型光电探测器，其特征在于，所述的电极一(1)、电极二(2)、电极三(3)和电极四(4)是由金、银、铜或铝材料构成。

5.根据权利要求1所述的一种并列型光电探测器，其特征在于，所述的防反射层二(6)的外径为4微米至75微米，所述的防反射层一(5)的内径在10微米至100微米，防反射层一(5)的外径在30微米至500微米。