[发明专利]一种并列型光电探测器无效

专利信息
申请号: 201110415890.9 申请日: 2011-12-11
公开(公告)号: CN103165627A 公开(公告)日: 2013-06-19
发明(设计)人: 杜兵 申请(专利权)人: 西安金和光学科技有限公司
主分类号: H01L27/144 分类号: H01L27/144
代理公司: 西安创知专利事务所 61213 代理人: 谭文琰
地址: 710075 陕西省西安*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 并列 光电 探测器
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种光电探测器,特别是涉及一种并列型光电探测器。

背景技术

现有的光电探测器的种类较多,最常用的是PIN型和APD型,其常见光电探测器的光敏面的直径在4微米至500微米,但这些光电探测器的光敏面都是一体的,也就是只适于探测一个光信号;另一方面,现有的双包层或多包层光纤的出现,需要分别监测纤芯以及包层的光信号时,现有的光电探测器是无能为力的,需要通过特殊的耦合器分离光信号才能监测,这样导致成本的上升。中国专利申请号200710015228.8文中揭示了一种采用双包层光纤传感装置,其中提到了需要检测内包层的光信号的强度,而不得不使用双包层光纤耦合器将双包层光纤的内包层光信号提取出来,导致了成本的增加。随着双包层光纤以及多包层光纤在通信、传感等领域的应用,需要可同时监测纤芯和包层内传输的光信号的光电探测器,市场上还未发现有这样的产品。

发明内容

本发明的目的在于克服上述现有技术中的不足,提供一种并列型光电探测器。该并列型光电探测器可以将双包层或多包层光纤中纤芯和包层中传输的光信号同时检测,其结构简单、使用方便、生产成本低,便于推广使用。

为实现上述目的,本发明采用的技术方案是:一种并列型光电探测器,包括半导体材料构成的p区、轻掺杂的本征的i区和n区,其特征在于:所述的p区、i区和n区被绝缘层分割成独立的两个部分,p区一、i区一和n区一以及电极一和电极二构成一个光电探测元件一;p区二、i区二和n区二以及电极三和电极四构成另一个光电探测元件二,光电探测元件一和光电探测元件二为圆环形,且光电探测元件一在光电探测元件二外侧,在p区一和p区二分别还有镀覆有防反射层一和防反射层二。

上述的一种并列型光电探测器,其特征在于,所述的绝缘层是二氧化硅层。

上述的一种并列型光电探测器,其特征在于,所述的防反射层一和防反射层二是由二氧化硅构成。

上述的一种并列型光电探测器,其特征在于,所述的电极一、电极二、电极三和电极四是由金、银、铜或铝材料构成。

上述的一种并列型光电探测器,其特征在于,所述的防反射层二的外径为4微米至75微米,所述的防反射层一的内径在10微米至100微米,防反射层一的外径在30微米至500微米。

本发明与现有技术相比具有以下优点:

1、本发明的并列型光电探测器可同时检测双包层或多包层光纤的纤芯和包层内传输的光信号的强度,避免使用特殊的双包层光纤耦合装置,可以大幅度的降低成本、减小体积,并且使用方便高效,具有良好的市场前景。

2、本发明的实现成本低,使用效果好,便于推广使用。

综上所述,本发明的并联型光电探测器结构简单、成本低、用途广,具有较好的市场前景。

下面通过附图和实施例,对本发明的技术方案做进一步的详细描述。

附图说明

图1为本发明实施例的结构示意图。

图2为图1的俯视结构示意图。

附图标记说明:

1-电极一;2-电极二;    3-电极三;

4-电极四;5-防反射层一;6-防反射层二;

7-p区一; 8-i区一;     9-n区一;

10-p区二;11-i区二;    12-n区二;

15-绝缘层。

具体实施方式

如图1和图2所示的一种并列型光电探测器,包括半导体材料构成的p区、轻掺杂的本征的i区和n区,所述的p区、i区和n区被绝缘层15分割成独立的两个部分,其中,p区一7、i区一8和n区一9以及电极一1和电极二2构成一个光电探测元件一;p区二10、i区二11和n区二12以及电极三3和电极四4构成另一个光电探测元件二,光电探测元件一和光电探测元件二为圆环形,且光电探测元件一在光电探测元件二外侧,在p区一7和p区二10分别还有镀覆有防反射层一5和防反射层二6。

将双包层光纤的端面处理后将端面与并列型光电探测器探测面固定在一起,其中纤芯对准防反射层二6,内包层对准防反射层一5,就可以同时检测纤芯和内包层中传输的光信号的强度。

优选的,所述的绝缘层15是二氧化硅层。

优选的,所述的防反射层一5和防反射层二6是由二氧化硅构成。

优选的,所述的电极一1、电极二2、电极三3和电极四4是由金、银、铜或铝材料构成。

优选的,所述的防反射层二6的外径为4微米至75微米,所述的防反射层一5的内径在10微米至100微米,防反射层一5的外径在30微米至500微米。

以上所述,仅是本发明的较佳实施例,并非对本发明作任何限制,凡是根据本发明技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、变更以及等效结构变换,均仍属于本发明技术方案的保护范围内。

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