[发明专利]形成半导体器件的图案的方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的图案的方法，所述方法包括以下步骤：

在包括第一区域和第二区域的区域内的材料层之上形成分区图案，其中，所述第二区域中的分区图案具有比所述第一区域中的分区图案大的宽度；

在所述分区图案的表面上形成第一辅助层；

形成辅助图案以覆盖所述第一辅助层在所述第二区域中的部分，其中所述第一辅助层的所述部分被形成于在所述第二区域中形成的分区图案的侧壁之上，且所述第二区域的每个辅助图案都具有比所述第一辅助层的厚度大的宽度；

通过利用所述辅助图案作为第一刻蚀掩模刻蚀第一辅助层直至分区图案的上表面暴露为止，来在所述分区图案的侧壁上形成间隔件；

通过刻蚀暴露在所述间隔件与所述辅助图案之间的分区图案，来形成第二刻蚀掩模；以及

通过刻蚀被所述第二刻蚀掩模暴露出的所述材料层，来在所述第一区域中形成第一图案和在所述第二区域中形成第二图案，其中，所述第二图案中的每个都具有比所述第一图案大的宽度。

2.如权利要求1所述的方法，其中，形成所述辅助图案的步骤包括以下步骤：

在所述第一辅助层上形成第二辅助层以填充所述分区图案之间的空间；

在所述第二辅助层之上形成光致抗蚀剂图案；

去除暴露在所述光致抗蚀剂图案之间的所述第二辅助层；以及

去除所述光致抗蚀剂图案。

3.如权利要求2所述的方法，其中，利用N₂和O₂的混合物去除所述第二辅助层。

4.如权利要求1所述的方法，其中，所述辅助图案是由底部抗反射涂覆部或旋涂碳形成的。

5.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一区域是存储器单元阵列区。

6.如权利要求1所述的方法，还包括以下步骤：在形成所述分区图案之前，在所述材料层上形成硬掩模层。

7.如权利要求6所述的方法，其中，所述硬掩模层是通过层叠氧化物层和多晶硅层形成的。

8.如权利要求7所述的方法，还包括以下步骤：在刻蚀被所述第二刻蚀掩模暴露出的所述材料层之前，

刻蚀被所述第二刻蚀掩模暴露出的所述多晶硅层；

去除所述第一区域中的所述间隔件；

去除保留在所述第二区域中的所述间隔件和所述分区图案；以及

刻蚀暴露在所述多晶硅层的其余区域之间的所述氧化物层。

9.如权利要求1所述的方法，其中，在所述间隔件之间暴露出的所述分区图案是通过干法刻蚀工艺被刻蚀的。

10.一种形成半导体器件的图案的方法，包括以下步骤：

在硬掩模层上形成分区图案；

在包括所述分区图案的表面的整个结构上形成第一辅助层；

形成辅助图案，以覆盖所述第一辅助层的形成于在所述第二区域中形成的分区图案的侧壁上的部分，其中，所述第二区域中的所述辅助图案中的每个都具有比所述第一辅助层的厚度大的宽度；

通过去除所述第一辅助层暴露在所述第一区域中的所述分区图案的顶部上的部分和所述第一辅助层暴露在所述第二区域中的所述辅助图案之间的部分，来在所述分区图案的侧壁上形成间隔件，使得所述分区图案的一部分和所述硬掩模层的一部分暴露出来；

去除所述辅助图案；

刻蚀暴露在所述间隔件之间的所述分区图案；以及

去除所述分区图案的其余区域和暴露在所述间隔件之间的所述硬掩模层。

11.如权利要求10所述的方法，其中，形成所述辅助图案的步骤包括以下步骤：

在所述第一辅助层上形成第二辅助层；

在所述第二辅助层之上形成光致抗蚀剂图案；

去除暴露在所述光致抗蚀剂图案之间的所述第二辅助层；以及

去除所述光致抗蚀剂图案。

12.如权利要求11所述的方法，其中，利用N₂和O₂的混合物去除所述第二辅助层。

13.如权利要求10所述的方法，其中，所述辅助图案是由底部抗反射涂覆部或旋涂碳形成的。

14.如权利要求10所述的方法，其中，暴露在所述间隔件之间的所述分区图案是通过干法刻蚀工艺被刻蚀的。