[发明专利]一种具有室温区温度稳定性的低场磁电阻材料的制备方法

权利要求书

1.一种具有室温区温度稳定性的低场磁电阻材料的制备方法，其特征在于，分两步制备材料，具体包括以下步骤：

第一步，制备钙钛矿结构母体材料La_8/9Sr_1/45Na_4/45MnO₃微粉：

（1）将高纯度的La₂O₃ 在580-620 ℃下脱水5-7 h ；

（2）将脱水后的La₂O₃与高纯度Na₂CO₃ 、SrCO₃、MnO₂化学试剂按名义组分进行配料，研磨35-45 min；

（3）将研磨充分的混合料在空气中880-920 ℃预烧23-25 h，让其自然冷却；

（4）取出冷却后的样品再次研磨35-45 min，然后在1050-1150 ℃下再次煅烧23-25 h，让其自然冷却；

（5）再取出步骤（4）冷却后的样品，研磨35-45 min，在1150-1250 ℃锻烧23-25 h，然后获得良好的结晶体；

第二步，制作复合相结构磁电阻材料：

（1）将第一步制得的粉体La_8/9Sr_1/45Na_4/45MnO₃与高纯度的V₂O₅粉末按5:（3.8-4.2）的摩尔比混合，充分研磨35-45 min，在28 MPa压强下压制成薄的圆片；

（2）然后将压好的圆片在空气中950-1050 ℃下煅烧2.5-3.5 h后，随炉冷却，得到室温区温度稳定的低场磁电阻材料。

2.根据权利要求1具有室温区温度稳定性的低场磁电阻材料的制备方法，其特征在于：所述的高纯度的La₂O₃ 、Na₂CO₃ 、SrCO₃ 、MnO₂和 V₂O₅的纯度均大于或等于99.0%。

3.根据权利要求1所述的具有室温区温度稳定性的低场磁电阻材料的制备方法，其特征在于：所述的第二步中，粉体La_8/9Sr_1/45Na_4/45MnO₃与V₂O₅粉末混合摩尔比为5:4。

4.根据权利要求1所述的具有室温区温度稳定性的低场磁电阻材料的制备方法，其特征在于：所述第一步中，步骤（3）混合粉料的预烧结温度为900 ℃；步骤（4）混合粉料的再次煅烧温度为1100 ℃；步骤（5）混合粉料的再次煅烧温度为1200 ℃。

5.根据权利要求1所述的具有室温区温度稳定性的低场磁电阻材料的制备方法，其特征在于：所述第二步中，La_8/9Sr_1/45Na_4/45MnO₃与高纯度的V₂O₅粉末压成圆片后的煅烧温度为1000 ℃。