[发明专利]一种具有室温区温度稳定性的低场磁电阻材料的制备方法

说明书

技术领域

    本发明涉及磁电阻材料领域，具体涉及一种具有室温区温度稳定性的低场磁电阻材料的制备方法。

背景技术

信息技术的飞速发展及器件的小型化对存储设备提出了更高的要求，促使材料物理工作者不断地发掘和探索新型的功能材料，以适应高密度信息存储和快速读写的需要。钙钛矿结构氧化物庞磁电阻（CMR）效应在磁传感、磁记录、随机存储器等方面有着诱人的应用前景。近年来，钙钛矿锰氧化物Ln_1－xA_xMnO₃(Ln表示稀土元素，A表示碱土或碱金属)以及钙钛矿锰氧化物与绝缘体氧化物（或金属氧化物、金属材料等）的复合体被人们广泛而深入地研究。但是，现有技术制备的钙钛矿结构氧化物庞磁电阻材料，其磁电阻效应现象只能发生在金属-绝缘体转变温度附近的一个特别窄温区范围内，并且较大磁电阻的出现需要几个特斯拉的较大外磁场，这种苛刻的条件使得磁电阻效应没有得到实际应用。

发明内容

本发明提供了一种低场磁电阻材料的制备方法，本发明方法制备的低场磁电阻材料的磁电阻具有在室温区温度稳定的特点。

本发明采用的技术方案如下：

一种具有室温区温度稳定性的低场磁电阻材料的制备方法，其特征在于，分两步制备材料，具体包括以下步骤：

第一步，制备钙钛矿结构母体材料La_8/9Sr_1/45Na_4/45MnO₃微粉：

（1）将高纯度的La₂O₃ 在580-620 ℃下脱水5-7 h ；

（2）将脱水后的La₂O₃与高纯度Na₂CO₃、SrCO₃、MnO₂化学试剂按名义组分进行配料，研磨35-45 min；

（3）将研磨充分的混合料在空气中880-920 ℃预烧23-25h，让其自然冷却；

（4）取出冷却后的样品再次研磨35-45 min，然后在1050-1150 ℃下再次煅烧23-25 h，让其自然冷却；

（5）再取出步骤（4）冷却后的样品，研磨35-45 min，在1150-1250 ℃锻烧23-25 h，然后获得良好的结晶体；

第二步，制作复合相结构磁电阻材料：

（1）将第一步制得的粉体La_8/9Sr_1/45Na_4/45MnO₃与高纯度的V₂O₅粉末按5:（3.8-4.2）的摩尔比混合，充分研磨35-45 min，在28 MPa压强下压成薄的圆片；

（2）然后将压好的圆片在空气中950-1050 ℃下煅烧2.5-3.5 h后，随炉冷却，得到室温区温度稳定的低场磁电阻材料。

所述的高纯度的La₂O₃的纯度≥99.0% ，所述的高纯度Na₂CO₃的纯度≥99.0%，所述的高纯度的SrCO₃的纯度≥99.0%，所述的高纯度的MnO₂的纯度≥99.0%，所述的高纯度的V₂O₅的纯度≥99.0%。

所述的第二步中，粉体La_8/9Sr_1/45Na_4/45MnO₃与V₂O₅粉末混合摩尔比为5: 4。

所述第一步中，步骤（3）混合粉料的预烧结温度为900 ℃；步骤（4）混合粉料的再次煅烧温度1100 ℃；步骤（5）混合粉料的再次煅烧温度1200 ℃。

所述第二步中，La_8/9Sr_1/45Na_4/45MnO₃与高纯度的V₂O₅粉末压成圆片后的煅烧温度为1000 ℃。

本发明取得的技术进步在于：