[发明专利]一种用于电蚀刻非晶合金材料件的电蚀刻液及蚀刻方法

权利要求书

1.一种用于电蚀刻非晶合金材料件的电蚀刻液，其特征在于，所述电蚀刻液含有5～15wt％的抛光剂，5～15wt％的蚀刻剂以及0.7～7wt％的缓蚀剂。

2.根据权利要求1所述的用于电蚀刻非晶合金材料件的电蚀刻液，其特征在于，所述抛光剂为油酸。

3.根据权利要求1所述的用于电蚀刻非晶合金材料件的电蚀刻液，其特征在于，所述蚀刻剂为氯化盐。

4.根据权利要求3所述的用于电蚀刻非晶合金材料件的电蚀刻液，其特征在于，所述非晶合金材料件为锆基非晶合金材料件，所述蚀刻剂为氯化锆。

5.根据权利要求3或4所述的用于电蚀刻非晶合金材料件的电蚀刻液，其特征在于，所述缓蚀剂为羧酸盐和有机膦酸盐，其中所述电蚀刻液含有0.5～5wt％的羧酸盐和0.2～2wt％的有机膦酸盐。

6.根据权利要求5所述的用于电蚀刻非晶合金材料件的电蚀刻液，其特征在于，所述羧酸盐为选自甲酸钠、乙酸钠、苯甲酸钠、硬脂酸钠、月桂酸钠、二甲苯磺酸钠中的一种或多种。

7.根据权利要求5所述的用于电蚀刻非晶合金材料件的电蚀刻液，其特征在于，所述羧酸盐为硬脂酸钠和/或月桂酸钠。

8.根据权利要求5所述的用于电蚀刻非晶合金材料件的电蚀刻液，其特征在于，所述有机膦酸盐为选自氨基三甲叉膦酸、乙二胺四甲叉膦酸钠、乙二胺四甲叉膦酸、二乙烯三胺五甲叉膦酸、2-膦酸丁烷-1，2，4-三羧酸中的一种或多种。

9.根据权利要求5所述的用于电蚀刻非晶合金材料件的电蚀刻液，其特征在于，所述有机膦酸盐为乙二胺四甲叉膦酸钠。

10.一种非晶合金材料件的蚀刻方法，其特征在于，包括以下步骤：

a)在所述非晶合金材料件表面设置掩模；

b)使用化学蚀刻液对表面设置有掩模的非晶合金材料件进行化学蚀刻；

c)使用电蚀刻液对化学蚀刻后的非晶合金材料件进行电蚀刻，其中所述电蚀刻液含有5～15wt％的抛光剂，5～15wt％的蚀刻剂以及0.7～7wt％的缓蚀剂；以及

d)除去电蚀刻后的非晶合金材料件表面的掩模，得到带有蚀刻图案的非晶合金材料件。

11.根据权利要求10所述的非晶合金材料件的蚀刻方法，其特征在于，所述非晶合金材料件为锆基非晶合金材料件，所述化学蚀刻液含有10～30wt％盐酸、10～30wt％硝酸铁、02～2wt％三聚磷酸盐及0.2％～2wt％苯并三唑或苯并三唑衍生物。

12.根据权利要求10所述的非晶合金材料件的蚀刻方法，其特征在于，在所述步骤c)中，使所述非晶合金材料件的设置有所述掩模的表面与所述电蚀刻液接触且以所述非晶合金材料件为正极，以不锈钢、铅板或石墨板为负极，在所述正极和负极之间施加8～20V直流电压及0.5A～2A/dm电流以便进行电蚀刻。

13.根据权利要求12所述的非晶合金材料件的蚀刻方法，其特征在于，所述电蚀刻在常温下进行，所述电蚀刻的时间为3～20分钟。

14.根据权利要求10至12中任一项所述的非晶合金材料件的蚀刻方法，其特征在于，所述抛光剂为油酸。

15.根据权利要求10至12中任一项所述的非晶合金材料件的蚀刻方法，其特征在于，所述蚀刻剂为氯化盐。

16.根据权利要求15所述的非晶合金材料件的蚀刻方法，其特征在于，所述非晶合金材料件为锆基非晶合金材料件，所述蚀刻剂为氯化锆。

17.根据权利要求15所述的非晶合金材料件的蚀刻方法，其特征在于，所述缓蚀剂为羧酸盐和有机膦酸盐，其中所述电蚀刻液含有0.5～5wt％的羧酸盐和0.2～2wt％的有机膦酸盐。

18.根据权利要求17所述的非晶合金材料件的蚀刻方法，其特征在于，所述羧酸盐为选自甲酸钠、乙酸钠、苯甲酸钠、硬脂酸钠、月桂酸钠、二甲苯磺酸钠中的一种或多种。

19.根据权利要求17所述的非晶合金材料件的蚀刻方法，其特征在于，所述羧酸盐为硬脂酸钠、月桂酸钠或其组合。