[发明专利]一种高导热电子封装材料的粉末冶金制备方法

权利要求书

1.一种高导热电子封装材料的粉末冶金制备方法，采用单一粒径的导热增强体(R)与金属基体(M)粉末作为原材料，其特征在于，二者的等效体积粒径(D_R，D_M)、颗粒数目(N_R，N_M)同时满足如下关系：

(N_R/N_M)·(D_R/D_M)³＝V_R/(1-V_R)

N_R/N_M≤1

D_R/D_M≥(V_R/(1-V_R))^1/3

其中，V_R为导热增强体的体积含量，N_R/N_M和D_R/D_M分别为导热增强体与金属基体的颗粒数目比和颗粒粒径比。

2.根据权利要求1所述的一种高导热电子封装材料的粉末冶金制备方法，其特征在于，当V_R不大于50％时，(V_R/(1-V_R))^1/3＜D_R/D_M≤1；当V_R大于50％时，1＜(V_R/(1-V_R))^1/3≤D_R/D_M。

3.根据权利要求2所述的一种高导热电子封装材料的粉末冶金制备方法，其特征在于，当V_R不大于50％时，D_R/D_M取值为1.0；当V_R大于50％时，D_R/D_M取值为(V_R/(1-V_R))^1/3。

4.根据权利要求1或2或3所述的一种高导热电子封装材料的粉末冶金制备方法，其特征在于，导热增强体的体积含量为30％～60％。

5.根据权利要求4所述的一种高导热电子封装材料的粉末冶金制备方法，其特征在于，导热增强体的等效体积粒径D_R≥155μm。

6.根据权利要求1所述的一种高导热电子封装材料的粉末冶金制备方法，其特征在于，导热增强体是金刚石、碳化硅或者二者的混合物。

7.根据权利要求1所述的一种高导热电子封装材料的粉末冶金制备方法，其特征在于，金属基体是Al、Cu、Ag及其合金中的一种。

8.根据权利要求l或2或3任一项所述的一种高导热电子封装材料的粉末冶金制备方法，其特征是，将导热增强体和金属基体粉末混合、冷压成生坯后，采用放电等离子体烧结或者热压烧结得到致密的高导热电子封装材料。

9.根据权利要求8所述的一种高导热电子封装材料的粉末冶金制备方法，其特征是，烧结温度为500℃～1070℃，烧结时间为1min～90min。

10.根据权利要求9所述的一种高导热电子封装材料的粉末冶金制备方法，其特征是，烧结压力为10MPa～200MPa，烧结气氛为真空或惰性气体保护。