[发明专利]非易失性存储器件及其高速缓存编程方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器件的高速缓存编程方法，包括以下步骤：

将当前编程操作的数据编程到存储器单元阵列中；

判断所述当前编程操作是否已执行到编程完成的阈值点；以及

在所述当前编程操作已执行到所述编程完成的阈值点时接收下一个编程操作的数据。

2.如权利要求1所述的高速缓存编程方法，其中，通过检测已重复施加编程脉冲的次数来执行判断所述当前编程操作是否已执行到所述编程完成的阈值点的步骤。

3.如权利要求1所述的高速缓存编程方法，其中，通过检测编程失败的单元的数目来执行判断所述当前编程操作是否已执行到所述编程完成的阈值点的步骤。

4.如权利要求1所述的高速缓存编程方法，其中，通过检测完成编程的单元的数目来执行判断所述当前编程操作是否已执行到所述编程完成的阈值点的步骤。

5.如权利要求1所述的高速缓存编程方法，其中，所述当前编程操作是最高有效位编程操作，并且

通过判断所述最高有效位编程操作中的针对多个目标阈值电压电平之中的至少一个目标阈值电压电平的编程操作是否已完成，来执行关于判断所述当前编程操作是否已执行到所述编程完成的阈值点的步骤。

6.如权利要求1所述的高速缓存编程方法，其中，当编程操作执行到所述编程完成的阈值点时，高速缓存就绪信号被使能以输入所述下一个编程操作的数据。

7.如权利要求1所述的高速缓存编程方法，其中，在输入所述下一个编程操作的数据时，将所述当前编程操作的数据编程到所述存储器单元阵列中直到完成所述当前编程操作。

8.如权利要求1所述的高速缓存编程方法，其中，所述编程完成的阈值点是这样的点：在响应于所述当前编程操作期间所施加的各个编程脉冲而被编程的存储器单元数目上的增加之中，响应于所述当前编程操作期间所施加的编程脉冲而被编程的存储器单元数目上的增加在所述点处最大。

9.如权利要求1所述的高速缓存编程方法，其中，在所述编程完成的阈值点之后，被编程的存储器单元在数目上的增加响应于在所述当前编程操作期间施加的各个编程脉冲而逐步地减少。

10.一种非易失性存储器件，包括：

单元阵列，所述单元阵列包括多个存储器单元；

第一寄存器和第二寄存器，所述第一寄存器和所述第二寄存器被配置为储存当前编程操作的数据和下一个编程操作的数据；以及

控制器，所述控制器被配置为在所述当前编程操作执行到编程完成的阈值点之后储存所述下一个编程操作的数据。

11.如权利要求10所述的非易失性存储器件，其中，所述控制器被配置为在所述当前编程操作已执行到所述编程完成的阈值点之后将高速缓存就绪信号使能。

12.如权利要求10所述的非易失性存储器件，其中，所述控制器被配置为通过判断已施加编程脉冲的次数来判断所述当前编程操作是否已执行到所述编程完成的阈值点。

13.如权利要求10所述的非易失性存储器件，其中，所述控制器被配置为通过判断编程失败的单元的数目来判断所述当前编程操作是否已执行到至少所述编程完成的阈值点。

14.如权利要求10所述的非易失性存储器件，其中，所述控制器被配置为通过判断完成编程的单元的数目来确定所述当前编程操作是否已执行到所述编程完成的阈值点。

15.如权利要求10所述的非易失性存储器件，其中，所述当前编程操作为最高有效位编程操作，并且

所述控制器被配置为通过判断所述最高有效位编程操作中的针对多个目标电平之中的至少一个目标电平的编程操作是否已完成，来判断所述当前编程操作是否已执行到所述编程完成的阈值点。