[发明专利]电阻式存储器的写入方法与存储器模块

权利要求书

1.一种电阻式存储器的写入方法，其特征在于，所述的电阻式存储器的写入方法包括：

接收一第一数据，并选择用以储存所述的第一数据的一第一电阻式记忆胞；

当所述的第一数据的逻辑准位为一第一逻辑准位时，输出一电压脉冲信号至所述的第一电阻式记忆胞，以写入所述的第一数据；以及

当所述的第一数据的逻辑准位为一第二逻辑准位时，输出一电流脉冲信号至所述的第一电阻式记忆胞，以写入所述的第一数据。

2.如权利要求1所述的电阻式存储器的写入方法，其特征在于，所述的方法更包括：

判断所述的第一数据是否正确地被写入所述的第一电阻式记忆胞；

若所述的第一数据被正确地写入所述的第一电阻式记忆胞，选择并将一第二数据进行写入一第二电阻式记忆胞；以及

若所述的第一数据并未被正确地写入所述的第一电阻式记忆胞，则将对应所述的第一电阻式记忆胞的一第一写入错误次数加1，并再次对将所述的第一数据写入所述的第一电阻式记忆胞。

3.如权利要求2所述的电阻式存储器的写入方法，其特征在于，所述的方法更包括：

若所述的第一写入错误次数等于一预定值，则标示所述的第一电阻式记忆胞为不可使用。

4.一种存储器模块，其特征在于，所述的存储器模块包括：

一电阻式存储器；以及

一存储器控制电路，耦接所述的电阻式存储器，接收一第一数据，并将所述的第一数据储存在所述的电阻式存储器的一第一电阻式记忆胞，其中当所述的第一数据的逻辑准位为一第一逻辑准位时，所述的存储器控制电路输出一电压脉冲信号至所述的第一电阻式记忆胞，以写入所述的第一数据，以及当所述的第一数据的逻辑准位为一第二逻辑准位时，所述的存储器控制电路输出一电流脉冲信号至所述的第一电阻式记忆胞，以写入所述的第一数据。

5.如权利要求4所述的存储器模块，其特征在于，所述的存储器控制电路更判断所述的第一数据是否正确地被写入所述的第一电阻式记忆胞，且若所述的第一数据被正确地写入所述的第一电阻式记忆胞，选择并将一第二数据进行写入一第二电阻式记忆胞；以及若所述的第一数据并未被正确地写入所述的第一电阻式记忆胞，则将对应所述的第一电阻式记忆胞的一第一写入错误次数加1，并再次对将所述的第一数据写入所述的第一电阻式记忆胞。

6.如权利要求5所述的存储器模块，其特征在于，当所述的存储器控制电路判断所述的第一写入错误次数等于一预定值时，则所述的存储器控制电路标示所述的第一电阻式记忆胞为不可使用。

7.如权利要求4所述的存储器模块，其特征在于，所述的存储器控制电路更包括一电压脉冲产生器，以产生所述的电压脉冲信号，与一电流脉冲产生器以产生所述的电流脉冲信号。

8.如权利要求4所述的存储器模块，其特征在于，所述的存储器控制电路更包括一验证电路，当所述的存储器控制电路完成写入动作时，所述的验证电路读取所述的第一电阻式记忆胞的一储存数据，并判断所述的储存数据是否相同于所述的第一数据。

9.一种电阻式存储器的写入方法，其特征在于，所述的电阻式存储器的写入方法包括：

接收一第一数据，并选择用以储存所述的第一数据的一第一电阻式记忆胞；

读取所述的第一电阻式记忆胞内之一第二数据；

判断所述的第一数据与所述的第二数据是否相同；以及

当所述的第一数据与所述的第二数据不同时，所述的第一数据被写入所述的第一电阻式记忆胞。

10.如权利要求9所述的电阻式存储器的写入方法，其特征在于，所述的方法更包括：

当所述的第一数据与所述的第二数据相同时，停止将所述的第一数据写入所述的第一电阻式记忆胞。

11.如权利要求9所述的电阻式存储器的写入方法，其特征在于，所述的方法更包括：

当所述的第一数据的逻辑准位为一第一逻辑准位时，输出一电压脉冲信号至所述的第一电阻式记忆胞，以写入所述的第一数据。

12.如权利要求9所述的电阻式存储器的写入方法，其特征在于，所述的方法更包括：

当所述的第一数据的逻辑准位为一第二逻辑准位时，输出一电流脉冲信号至所述的第一电阻式记忆胞，以写入所述的第一数据。