[发明专利]电阻式存储器的写入方法与存储器模块

说明书

技术领域

本发明为一种快闪存储器的控制方法，特别是一种电阻式存储器的控制方法。

背景技术

快闪存储器系为一种可以被电抹除并且重新写入的非易失性存储器，并且主要系应用在记忆卡与USB快闪随身碟，藉以作为一般的储存与电脑装置和数位产品间的数据之转运。快闪存储器的成本远小于EEPROM，所以已经成为主流的存储器装置。举例而言，快闪存储器系应用于个人数位助理(PDA)、可携式电脑、数位音频播放器、数位相机与行动电话中。

然而，快闪存储器中每个存储区块仅能可以被抹除的一定次数。当一存储区块之抹除次数超过一临界值时，该存储区块将无法被正确地写入，并且由该存储区块读取出数据时将可能发生错误。

此外，快闪存储器仍面临着操作电压过大、操作速度慢、耐久力不够等缺点。另外，其亦可能面临到因元件缩小所导致之过薄的穿透闸极氧化层所导致之记忆时间不够长等缺点。为了克服前述缺点，电阻式存储器(RRAM)为目前业界所研发出之众多新颖存储器之一，其系利用可变电阻的原理来制作非挥发性存储器，且拥有低功率消耗、面积小及操作速度快等优点。

发明内容

本发明的其他目的和优点可以从本发明所揭露的技术特征中得到进一步的了解。

为达上述之一或部份或全部目的或是其他目的，本发明的一实施例提供一种电阻式存储器的写入方法，包括：接收一第一数据，并选择用以储存该第一数据的一第一电阻式记忆胞；当该第一数据的逻辑准位为一第一逻辑准位时，输出一电压脉冲信号至该第一电阻式记忆胞，以写入该第一数据；当该第一数据的逻辑准位为一第二逻辑准位时，输出一电流脉冲信号至该第一电阻式记忆胞，以写入该第一数据。

本发明的另一实施例提供一种存储器模块，包括一电阻式存储器以及一存储器控制电路。存储器控制电路耦接该电阻式存储器，接收一第一数据，并将该第一数据储存在该电阻式存储器的一第一电阻式记忆胞。当该第一数据的逻辑准位为一第一逻辑准位时，该存储器控制电路输出一电压脉冲信号至该第一电阻式记忆胞，以写入该第一数据。当该第一数据的逻辑准位为一第二逻辑准位时，该存储器控制电路输出一电流脉冲信号至该第一电阻式记忆胞，以写入该第一数据。

附图说明

图1为根据本发明之一存储器模块的一实施例的示意图。

图2为根据本发明之一电阻式存储器的写入方法之一实施例的流程图。

图3为根据本发明之一电阻式存储器的写入方法之另一实施例的流程图。

图4为根据本发明之一存储器模块之另一实施例的示意图。

主要元件符号说明：

11～存储器控制器；

12～写入电路；

13～验证电路；

14～电阻式存储器；

15～电压脉冲产生器；

16～电流脉冲产生器；

40～存储器模块；

41～存储器控制电路；

42～电阻式存储器

具体实施方式

有关本发明之前述及其他技术内容、特点与功效，在以下配合参考图式之一较佳实施例的详细说明中，将可清楚的呈现。以下实施例中所提到的方向用语，例如：上、下、左、右、前或后等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用来说明并非用来限制本发明。

图1为根据本发明之一存储器模块的一实施例的示意图。存储器模块包括存储器控制器11、写入电路12、验证电路13以及电阻式存储器14。写入电路12更包括一电压脉冲产生器15与一电流脉冲产生器16。当存储器控制器11接收到一写入数据时，将该写入数据及数据写入位址传送给写入电路12。写入电路12会根据写入数据为逻辑1的数据或是逻辑0的数据，选择透过电压脉冲产生器15或电流脉冲产生器16写入数据。当写入数据为逻辑1时，写入电路12根据数据写入位址，透过电压脉冲产生器15输出一电压脉冲信号至电阻式存储器14内的一第一电阻式记忆胞，以执行一SET运作，使得第一电阻式记忆胞的电阻值为低电阻值。当写入数据为逻辑0时，写入电路12根据数据写入位址，透过电流脉冲产生器16输出一电流脉冲信号至电阻式存储器14内的该第一电阻式记忆胞，以执行一RESET运作，使得第一电阻式记忆胞的电阻值为高电阻值。