[发明专利]像素阵列基底结构、其制造方法、显示设备和电子装置

权利要求书

1.一种像素阵列基底结构，包括：

顺序堆叠在基底上的第一和第二平面化膜，在基底上形成电路单元；以及

在第一和第二平面化膜之间形成的中继配线，

其中中继配线将第一接触部分电连接到第二接触部分，第一接触部分形成在第一平面化膜上并且连接到电路单元，第二接触部分形成在第二平面化膜上、当从上面观看时不同于第一接触部分的位置。

2.如权利要求1所述的像素阵列基底，

其中布置第二接触部分的位置相对于布置第一接触部分的位置适当设置。

3.如权利要求1所述的像素阵列基底，

其中电路单元包括保持每个像素中的数据的存储器。

4.如权利要求1所述的像素阵列基底，

其中第二接触部分电连接到在第二平面化膜上形成的像素电极，并且

像素电极是反射电极。

5.如权利要求4所述的像素阵列基底，

其中电路单元包括驱动电路，其通过第一接触部分、中继配线以及第二接触部分驱动像素电极。

6.如权利要求4所述的像素阵列基底，

其中像素电极划分为多个电极。

7.如权利要求6所述的像素阵列基底，

其中多个电极通过使用电极面积的组合显示灰度。

8.如权利要求1所述的像素阵列基底，

其中第二接触部分的接触孔以矩形形状形成。

9.如权利要求1所述的像素阵列基底，

其中在第二接触部分的接触孔中，具有3°或更大倾角的区域在距接触孔的底部端1μm内。

10.如权利要求1所述的像素阵列基底，

其中第二平面化膜的材料的玻璃转变点高于显影第二平面化膜之后第二平面化膜的烘烤温度。

11.如权利要求10所述的像素阵列基底，

其中第二平面化膜的材料具有比第一平面化膜的材料的玻璃转变点更高的玻璃转变点。

12.如权利要求1所述的像素阵列基底，其中中继配线包括连接在第一接触部分和第二接触部分之间的至少两条配线。

13.一种制造像素阵列基底结构的方法，该像素阵列基底结构包括顺序堆叠在基底上的第一和第二平面化膜，在基底上形成电路单元；以及在第一和第二平面化膜之间形成的中继配线，其中中继配线将第一接触部分电连接到第二接触部分，第一接触部分形成在第一平面化膜上并且连接到电路单元，第二接触部分形成在第二平面化膜上、当从上面观看时不同于第一接触部分的位置，该方法包括：

设置第二平面化膜的材料的玻璃转变点高于显影第二平面化膜之后第二平面化膜的烘烤温度。

14.如权利要求13所述的制造像素阵列基底结构的方法，

其中具有比第一平面化膜的玻璃转变点更高的玻璃转变点的材料用于第二平面化膜的材料。

15.一种具有像素阵列基底结构的显示设备，该像素阵列基底结构包括：顺序堆叠在基底上的第一和第二平面化膜，在基底上形成电路单元；以及在第一和第二平面化膜之间形成的中继配线，其中中继配线将第一接触部分电连接到第二接触部分，第一接触部分形成在第一平面化膜上并且连接到电路单元，第二接触部分形成在第二平面化膜上、当从上面观看时不同于第一接触部分的位置。

16.一种包括具有像素阵列基底结构的显示设备的电子装置，该像素阵列基底结构包括：顺序堆叠在基底上的第一和第二平面化膜，在基底上形成电路单元；以及在第一和第二平面化膜之间形成的中继配线，其中中继配线将第一接触部分电连接到第二接触部分，第一接触部分形成在第一平面化膜上并且连接到电路单元，第二接触部分形成在第二平面化膜上、当从上面观看时不同于第一接触部分的位置。