[发明专利]多电源集成电路的静电放电保护电路无效
申请号: | 201110430439.4 | 申请日: | 2011-12-20 |
公开(公告)号: | CN102569290A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 王文泰;何明瑾 | 申请(专利权)人: | 创意电子股份有限公司;台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人: | 江耀纯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电源 集成电路 静电 放电 保护 电路 | ||
1.一用于多电源集成电路的静电放电保护电路,其特征是,包含:
一第一电压箝制电路,偏压于一第一正电位与一第一接地电位间,用来提供一第一放电路径;
一第二电压箝制电路,偏压于一第二正电位与一第二接地电位间,用来提供一第二放电路径;
一第一路径控制单元,耦合于一电源节点与所述第一电压箝制电路的所述第一正电位间,用来通过所述第一放电路径来分路一第一静电放电暂态电流,其中所述第一静电放电暂态电流于所述电源节点上的一第一电压高于所述第一正电位时产生;以及
一第二路径控制单元,耦合于所述电源节点与所述第二电压箝制电路的所述第二正电位间,用来通过所述第二放电路径来分路一第二静电放电暂态电流,其中所述第二静电放电暂态电流于所述电源节点上的一第二电压高于所述第二正电位时产生。
2.如权利要求1所述的静电放电保护电路,其特征是:
当所述第一路径控制单元的一跨压超过一第一临界值时,所述第一电压箝制电路呈开启以提供所述第一放电路径;以及
当所述第二路径控制单元的一跨压超过一第二临界值时,所述第二电压箝制电路呈开启以提供所述第二放电路径。
3.如权利要求1所述的静电放电保护电路,其特征是,所述第一与所述第二路径控制单元包含二极管、金属氧化半导体晶体管、场效应氧化半导体元件、双极接面晶体管,或硅控整流器。
4.如权利要求1所述的静电放电保护电路,其特征是,包含:
一第三路径控制单元耦合于所述电源节点与所述第一电压箝制电路的所述第一接地电位间;以及
一第四路径控制单元耦合于所述电源节点与所述第二电压箝制电路的所述第二接地电位间。
5.如权利要求4所述的静电放电保护电路,其特征是,所述第三与所述第四路径控制单元包含二极管、金属氧化半导体晶体管,场效氧化半导体元件,双极接面晶体管,或硅控整流器。
6.如权利要求1所述的静电放电保护电路,其特征是:
所述第一电压箝制电路另用来于所述第二正电位高于所述第一正电位时,提供所述第一放电路径以分路所述第二静电放电暂态电流。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的