[发明专利]高纯钽靶材的制备方法和高纯钽靶材有效
| 申请号： | 201110430596.5 | 申请日： | 2011-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN102517550A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 姚力军;相原俊夫;大岩一彦;潘杰;王学泽;陈勇军 | 申请（专利权）人： | 宁波江丰电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C22F1/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 315400 浙江省宁波市余姚*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高纯 钽靶材 制备 方法 | ||
1.一种高纯钽靶材的制备方法，其特征在于，包括：
对高纯钽锭进行锻造，然后进行第一热处理，所述第一热处理温度为1290℃～1350℃，依次进行所述锻造和第一热处理，总共进行三次；
最后一次第一热处理之后，对高纯钽锭进行预热，然后进行压延，形成钽靶坯；
对所述钽靶坯进行第二热处理。
2.如权利要求1所述的高纯钽靶材的制备方法，其特征在于，所述第一热处理每次持续的时间为2小时。
3.如权利要求2所述的高纯钽靶材的制备方法，其特征在于，所述第一热处理温度为1320℃。
4.如权利要求1所述的高纯钽靶材的制备方法，其特征在于，所述第二热处理温度为1100℃，持续时间为2小时。
5.如权利要求1所述的高纯钽靶材的制备方法，其特征在于，所述预热的温度为800℃～1200℃。
6.如权利要求1所述的高纯钽靶材的制备方法，其特征在于，所述预热的温度为1000℃。
7.如权利要求1所述的高纯钽靶材的制备方法，其特征在于，进行锻造之前所述高纯钽锭的直径为150mm～200mm。
8.如权利要求1所述的高纯钽靶材的制备方法，其特征在于，每次锻造的变形率在60％以上。
9.如权利要求1所述的高纯钽靶材的制备方法，其特征在于，所述钽靶坯的厚度为8mm～10mm。
10.如权利要求1所述的高纯钽靶材的制备方法，其特征在于，进行所述第二热处理前将钽靶坯冷却到室温。
11.一种高纯钽靶材，其特征在于，所述钽靶材的纯度在4N以上，晶粒大小小于120μm，排列取向为(100)的晶粒所占比例为60％以上。
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