[发明专利]液晶显示装置有效
申请号: | 201110430612.0 | 申请日: | 2011-12-14 |
公开(公告)号: | CN102540603A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 中村考雄;石井一树;武藤大祐;关英宪 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立显示器 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;H01L29/786 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 陈伟;孟祥海 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶 显示装置 | ||
1.一种液晶显示装置,其在由沿第一方向延伸并沿第二方向排列的扫描线和沿第二方向延伸并沿第一方向排列的视频信号线包围的区域形成像素电极,上述像素电极通过TFT从上述视频信号线提供视频信号,该液晶显示装置的特征在于,
上述TFT由半导体层、栅电极以及第一层间绝缘膜形成,该半导体层具有沟道部、形成在上述视频信号线侧的漏极部、以及形成在上述像素电极侧的源极部;该栅电极覆盖上述半导体层地形成有栅极绝缘膜,并在上述栅极绝缘膜上形成在上述沟道部的上方;该第一层间绝缘膜覆盖上述栅电极,
上述视频信号线配置在上述第一层间绝缘膜上,
覆盖上述视频信号线地依次形成有无机钝化膜、有机钝化膜,在上述有机钝化膜上形成公共电极,在上述公共电极上形成第二层间绝缘膜,在上述第二层间绝缘膜上形成上述像素电极,上述像素电极具有狭缝,
上述视频信号线与上述TFT的上述漏极部相连接的部分形成为宽度变宽,上述视频信号线在上述宽度变宽的部分通过接触孔与上述漏极部相连接,
在上述视频信号线的宽度变宽的部分,在上述第二层间绝缘膜上形成通孔,上述通孔的直径大于上述接触孔的直径。
2.根据权利要求1所述的液晶显示装置,其特征在于,
上述TFT包括第一TFT和第二TFT,该第一TFT具有与上述视频信号线相连接的漏极部;该第二TFT与上述第一TFT相连接、并且源极部与像素电极相连接,
上述第一TFT和上述第二TFT的栅电极兼作上述扫描线。
3.一种液晶显示装置,其在由沿第一方向延伸并沿第二方向排列的扫描线和沿第二方向延伸并沿第一方向排列的视频信号线包围的区域形成像素电极,上述像素电极通过TFT从上述视频信号线提供视频信号,该液晶显示装置的特征在于,
上述TFT由半导体层、栅电极以及第一层间绝缘膜形成,该半导体层具有沟道部、形成在上述视频信号线侧的漏极部、以及形成在上述像素电极侧的源极部;该栅电极覆盖上述半导体层地形成有栅极绝缘膜,并在上述栅极绝缘膜上形成在上述沟道部的上方;该第一层间绝缘膜覆盖上述栅电极,
上述视频信号线配置在上述第一层间绝缘膜上,
覆盖上述视频信号线地依次形成有无机钝化膜、有机钝化膜按,在上述有机钝化膜上形成像素电极,在上述像素电极上形成第二层间绝缘膜,在上述第二层间绝缘膜上形成公共电极,上述公共电极具有狭缝,
上述视频信号线与上述TFT的上述漏极部相连接的部分形成为宽度变宽,上述视频信号线在上述宽度变宽的部分通过接触孔与上述漏极部相连接,
在上述视频信号线的宽度变宽的部分,在上述第二层间绝缘膜上形成通孔,上述通孔的直径大于上述接触孔的直径。
4.根据权利要求3所述的液晶显示装置,其特征在于,
上述TFT包括第一TFT和第二TFT,该第一TFT具有与上述视频信号线相连接的漏极部;该第二TFT与上述第一TFT相连接、并且源极部与像素电极相连接,
上述第一TFT和上述第二TFT的栅电极兼作上述扫描线。
5.一种液晶显示装置,其具有显示区域和周边电路部,该液晶显示装置的特征在于,
上述周边电路部具有TFT,该TFT由半导体层、栅电极以及第一层间绝缘膜形成,该半导体层具有沟道部、源极部、以及漏极部;该栅电极覆盖上述半导体层地形成有栅极绝缘膜,并在上述栅极绝缘膜上形成在上述沟道部的上方;该第一层间绝缘膜覆盖上述栅电极,
在上述第一层间绝缘膜上形成由金属形成的布线,上述由金属形成的布线通过形成于上述第一层间绝缘膜和栅极绝缘膜的接触孔来与上述漏极部或者上述源极部连接,
覆盖上述由金属形成的布线地依次形成有无机钝化膜、有机钝化膜,
在上述有机钝化膜上形成由ITO构成的布线,在上述由ITO构成的布线上形成第二层间绝缘膜,在上述第二层间绝缘膜上形成通孔,上述通孔的直径大于上述接触孔的直径。
6.一种液晶显示装置,将TFT基板与对置基板相对置地粘贴,在内部形成液晶层,在上述TFT基板的未与上述对置电极相对的部分上形成有端子部和TEG,该液晶显示装置的特征在于,
在上述TEG中,在TFT基板上依次层叠半导体层、栅极绝缘膜、第一层间绝缘膜、无机钝化膜、有机钝化膜,
在上述有机钝化膜上形成由ITO形成的电极,在上述由ITO形成的电极上形成第二层间绝缘膜,在上述第二层间绝缘膜上形成有上述TEG的区域中形成有通孔。
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