[发明专利]液晶显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种显示装置，尤其涉及一种在横电场方式的液晶显示装置中针对形成在有机钝化膜上的膜发生剥落采取对策的液晶显示装置。

背景技术

在液晶显示装置中，配置具有像素电极和薄膜晶体管(TFT)等的将像素形成为矩阵状的TFT基板、以及与TFT基板对置并在与TFT基板的像素电极相对应的位置形成有滤色片等的对置基板，在TFT基板与对置基板之间夹持有液晶。并且，通过按各像素控制液晶分子的透光率，来形成图像。

液晶显示装置是平板的且分量轻，因此在各领域用途广泛。在便携式电话、DSC(Digital Still Camera：数字静态摄影机)等中广泛使用着小型的液晶显示装置。在液晶显示装置中视场角特性是一个问题。视场角特性是在从正面观看画面的情况和从斜方向观看画面的情况下亮度发生变化、或者色度发生变化的现象。视场角特性具有在通过水平方向的电场使液晶分子进行动作的IPS(In Plane Switching：平面转换)方式下优越的特性。

IPS方式也有很多种，但是在平面单板上形成公共电极并在公共电极上隔着绝缘膜配置具有狭缝的像素电极、通过在像素电极与公共电极之间产生的电场来使液晶分子旋转的方式能够增大透射率，因此在当前成为主流。为了使形成公共电极的基底平坦，而使用了有机钝化膜。但是，有机钝化膜吸湿性高，当放置在空气中时吸收水分，当在之后的膜形成中经过加热工序时，被有机钝化膜吸收的水分放出，由于该影响产生形成在有机钝化膜上的膜剥离的问题。

作为对应这种问题的方法，在“专利文献1”中记载有如下结构：在视频信号线的上面，针对形成在有机钝化膜上的层间绝缘膜，沿着视频信号线形成通孔，使存在于有机钝化膜中的水分从该通孔放出。在“专利文献1”中，将该通孔进一步由与公共电极导通的透明电极覆盖。

专利文献1：日本特开2009-271103号公报

发明内容

为了说明现有技术的问题，首先说明IPS液晶显示装置的截面结构。图9是表示液晶显示装置的显示区域10的像素部的结构的截面图。此外，图9的截面图是基本结构的例子，与之后示出的实施例的俯视图、即图2等并不是以1∶1对应的。如图9所示，以本发明为对象的液晶显示装置是顶栅型的TFT，对半导体层103使用poly-Si。在图9中，在玻璃基板100上通过CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)形成由SiN构成的第一底膜101和由SiO₂构成的第二底膜102。第一底膜101和第二底膜102的作用在于防止来自玻璃基板100的杂质污染半导体层103。

在第二底膜102上形成半导体层103。该半导体层103在第二底膜102上通过CVD形成a-Si膜，通过对其进行激光退火来变换成poly-Si膜。通过光刻法对该poly-Si膜形成图案。

在半导体膜上形成栅极绝缘膜104。该栅极绝缘膜104是由TEOS(四乙氧基硅烷)形成的SiO₂膜。该膜也是通过CVD形成的。在该膜上形成栅电极105。栅电极105与扫描信号线30在相同的层上同时形成。栅电极105例如由MoW膜形成。在需要减小扫描线30的电阻时，使用Al合金。

栅电极105通过光刻法进行图案形成，但是在该图案形成时，通过离子注入，将磷或者硼等杂质混入到poly-Si层，来在poly-Si层上形成源极S或者漏极D。另外，利用栅电极105图案形成时的光致抗蚀剂来在poly-Si层的沟道层与源极S或漏极D之间形成LDD(Lightly Doped Drain：轻掺杂漏极)层。

之后，覆盖栅电极105而通过SiO₂形成第一层间绝缘膜106。第一层间绝缘膜106用于将栅电极105与源电极107绝缘。在第一层间绝缘膜106上形成源电极107。源电极107通过接触孔130与像素电极112进行连接。在图9中，源电极107形成为较大，成为覆盖TFT的形状。另一方面，TFT的漏极D在未图示的部分上与视频信号线相连接。

源电极107与视频信号线在相同的层上同时形成。源电极107或者视频信号线为了减小电阻而使用AlSi合金。AlSi合金或产生隆起、或者Al扩散到其它的层，因此采用通过由MoW形成的阻挡层以及覆盖层夹持AlSi的结构。另外，也存在不使用Al而使用MoW或MoCr的情况。