[发明专利]处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及处理装置。

背景技术

为提高对于被处理体例如半导体晶片的处理的面内均一性，设法在晶片的中心部分和边缘部分改变处理气体的供给量(例如专利文献1)。

在专利文献1中，为在晶片的中心部分和边缘部分改变处理气体的供给量，在喷出处理气体的上部电极的缓冲室(气体扩散空间)内设置环状隔壁构件。这样，把缓冲室分割为中心部侧缓冲室和外周部侧缓冲室，分别以不同的供给量供给处理气体。

专利文献1：日本特开2006-165399号公报

在专利文献1中，环状隔壁构件的位置以成为对于处理程序而言面内均一性良好的位置的方式来决定、并固定。

但是，因为位置固定，所以在处理程序改变，例如条件等改变的情况下，有时会出现为实现面内均一性的余量变小，或者从最佳的面内均一性偏离的情况。在这样的情况下，必须每次改变在晶片面内的中心部分喷出的处理气体的喷出位置、以及在晶片面内的边缘部分喷出的处理气体的喷出位置。亦即在专利文献1中，有时必须用手工改变或者更换环状隔壁构件的位置，或者更换上部电极自身即处理气体喷出部自身。

另外，不单处理气体改变的情况，即使在因为下一代设备的制造而采用新的处理程序的情况下，发生上述同样的事情。因此，也有现在的处理装置缺乏对于下一代设备或者处理的通用性或应用性这样的事情。

发明内容

本发明鉴于上述情况做出，其目的是提供一种处理装置，其能够根据被处理体面内的位置改变向被处理体喷出的处理气体的供给量或者气体种类的至少任一方，不通过手工操作进行环状隔壁构件的位置的改变或者更换，或者处理气体喷出部自身的更换，就能够改变处理气体的喷出位置。

本发明的一种实施方式的处理装置，能够根据被处理体面内的位置改变向上述被处理体喷出的处理气体的供给量和气体种类的至少一方，具有：使用上述处理气体对上述被处理体实施处理的处理室；设置在上述处理室内的、载置上述被处理体的载置台；与上述载置台对置设置在上述处理室内的、向上述处理室喷出上述处理气体的处理气体喷出部；空间组，其包含：在所述处理气体喷出部内，经由隔壁相互分隔设置并具有喷出所述处理气体的喷出孔的第一空间、第二空间和设置在所述第一空间与所述第二空间之间的至少一个第三空间，其中，所述第一空间与所述被处理体面内的中心部分对应，所述第二空间与所述被处理体面内的边缘部分对应；和处理气体分配单元，其包括：包含连通于所述第一空间、所述第二空间、所述至少一个第三空间的处理气体分配管的处理气体分配管组，和包含对邻接的所述处理气体分配管彼此之间进行开闭的阀的阀组。

根据本发明，能够提供能够根据被处理体面内的位置改变向被处理体喷出的处理气体的供给量和气体种类的至少一方的处理装置，不通过手工操作进行环状隔壁构件的位置的改变或者更换，或者处理气体喷出部自身的更换，就能够改变处理气体的喷出位置。

附图说明

图1是概略表示本发明的一种实施方式的处理装置的一例的剖面图。

图2是沿图1中的II-II线的剖面图。

图3是沿图2中的III-III线的剖面图。

图4A是表示关闭的阀与喷出的处理气体的关系的剖面图。

图4B是表示关闭的阀与喷出的处理气体的关系的剖面图。

图4C是表示关闭的阀与喷出的处理气体的关系的剖面图。

图5A是表示用于切换处理气体的喷出位置的基本结构的图。

图5B是表示用于切换处理气体的喷出位置的基本结构的图。

图5C是表示用于切换处理气体的喷出位置的基本结构的图。

图6A是表示一种实施方式的变形例的处理装置的基本结构的图。

图6B是表示一种实施方式的变形例的处理装置的基本结构的图。

图6C是表示一种实施方式的变形例的处理装置的基本结构的图。

图6D是表示一种实施方式的变形例的处理装置的基本结构的图。

图6E是表示一种实施方式的变形例的处理装置的基本结构的图。

具体实施方式

下面参照附图说明本发明的实施方式。在本说明中，在全部的参照附图中，给同一部分附以同一参照符号。

图1是概略表示本发明的一种实施方式的处理装置的一例的剖面图。在图1中，作为可以应用本发明的处理装置的一例，表示对于半导体晶片进行蚀刻处理或者成膜处理的等离子体处理装置。