[发明专利]发光二极管封装装置及其制作方法无效
申请号: | 201110431585.9 | 申请日: | 2011-12-21 |
公开(公告)号: | CN102637809A | 公开(公告)日: | 2012-08-15 |
发明(设计)人: | 李宗宪;苏柏仁 | 申请(专利权)人: | 新世纪光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/54 | 分类号: | H01L33/54;H01L33/00 |
代理公司: | 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 | 代理人: | 张雅军 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 封装 装置 及其 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种封装装置及其制作方法,特别是涉及一种发光二极管封装装置及其制作方法。
背景技术
参阅图1,以往的发光二极管封装装置11包括一个基座111、一个发光二极管晶粒112,及一个封装胶113。
该基座111具有一个导线架116,及一个以导线架116为骨干往上形成而具有一个封装空间117的杯体115,该导线架116以金属材料为主所构成,具有导电的特性而可对外电连接,该导线架116的其中一部份裸露于该封装空间117的底部,该封装空间117具有一个远离该裸露于该封装空间117底部的其中一部份导线架116的开口118。
该发光二极管晶粒112固晶且电连接于该封装空间117中裸露于该杯体115外的导线架116上,而在接受电能时发光,在图1中是以金线114电连接导线架116与发光二极管晶粒112作说明。
该封装胶113填置于该封装空间117中包覆该发光二极管晶粒112地封闭该开口118,而使该发光二极管晶粒112与外界隔绝,且免于受外界各种散布于环境中的水气及气体的影响而造成该发光二极管晶粒112提早老化。
当外界自该基座111供电时,电能经由该基座111的导线架116传送至该发光二极管晶粒112,该发光二极管晶粒112得到电能而发出预定波长的光,发出的光穿经该封装胶113后向外发光。
参阅图2,该发光二极管封装装置11的制作方法包括一个固晶步骤121,及一个胶体形成步骤122。
首先,进行该固晶步骤121,将该发光二极管晶粒112位于该封装空间117中地固晶并电连接于该基座111中,该基座111是预先自该导线架116底部往上形成包覆该导线架116且让该导线架116其中一部份装置裸露于杯体115而制备。
接着,进行该胶体形成步骤122,将该封装胶113封闭该开口118地填置于该封装空间117中而包覆该发光二极管晶粒112,并使该发光二极管晶粒112与外界隔绝,而制得该发光二极管封装装置11。
由于目前的发光二极管晶粒112顶面与该封装胶113顶面皆为平坦的平面,因此,该发光二极管封装装置11中自该发光二极管晶粒112产生的光直接且与该封装胶113表面呈正交地穿过该透明并可透光的封装胶113而向外发光,几乎没有改变来自该发光二极管晶粒112的光的出光角度,因此,此未经调整与修饰的光线路径易导致向外发出的光不均匀。
发明内容
本发明的目的在于提供一种提高光均匀程度的发光二极管封装装置。
本发明的另一目的在于提供一种提高光均匀程度的发光二极管封装装置的制作方法。
本发明发光二极管封装装置包含一个基座、一个发光二极管晶粒,及一个封装胶。该基座包括一个具有一个开口的封装空间,该发光二极管晶粒固晶于该基座并位于该封装空间中,并供电时产生光,该封装胶填置于该封装空间中并封闭该开口,且具有一个表面,及多个形成于该表面上的微图案。
较佳地,本发明的发光二极管封装装置,该封装胶的表面与外界接触,每一个微图案是自该表面向相反于该发光二极管晶粒的方向凸出形成,且所述微图案的间距小于20微米。
较佳地,本发明的发光二极管封装装置,所述微图案的高度大于该发光二极管晶粒的发光波长,且小于20微米。
较佳地,本发明的发光二极管封装装置,该封装胶包括一层透明层,及一层具有荧光粉的激发层。
较佳地,本发明的发光二极管封装装置,该封装胶包括一个透明的胶体,及混掺于该胶体中的荧光粉。
较佳地,本发明的发光二极管封装装置,该封装胶的表面与外界接触,每一个微图案是自该表面向该发光二极管晶粒方向凹陷形成,且所述微图案的间距小于20微米。
较佳地,本发明的发光二极管封装装置,所述微图案的深度大于该发光二极管晶粒的发光波长,且小于20微米。
此外,本发明发光二极管封装装置的制作方法包含一个固晶步骤、一个胶体形成步骤,及一个微图案形成步骤。该固晶步骤是将一个发光二极管晶粒固晶于一个基座,该胶体形成步骤是将一个透明且可固化的封装胶体包覆该发光二极管晶粒地填置于该基座的一个封装空间中,该微图案形成步骤是于该封装胶体表面形成多个间距小于20微米的微图案而成为一个具有微图案的封装胶,每一个微图案与该封装胶表面的落差大于该发光二极管晶粒的发光波长,且小于20微米。
较佳地,本发明的发光二极管封装装置的制作方法,该微图案形成步骤是使用光罩并配合微影制程形成所述微图案。
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