[发明专利]一种含氮的锗碳合金膜材料及其制备方法无效
| 申请号： | 201110433092.9 | 申请日： | 2011-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN102400026A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 胡超权;郑伟涛;孟芳芳 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | C22C28/00 | 分类号： | C22C28/00;C23C14/35;C23C14/14 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人： | 王恩远 |
| 地址： | 130012 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 合金 材料 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种含氮的锗碳合金膜材料，由锗、碳和氮构成，按各成分的原子数浓度计，锗含量为81％，碳含量为11～9％，氮含量为8～10％。
2.一种权利要求1的含氮的锗碳合金膜材料的制备方法，采用射频磁控溅射法在热压ZnS或单晶Si衬底上制备含氮的锗碳合金膜，射频电源频率为13.56MHz，以单晶锗作为靶，靶与衬底的距离为7.5～8.5cm，以N2、CH4和Ar作为放电气体，N2流量为15～18SCCM，Ar流量为41.6～38.3SCCM，CH4流量为5.2～4.8SCCM；具体过程如下：将沉积系统真空反应室抽真空至2×10-3Pa以下，用Ar对Ge靶预溅射5～15分钟，除去靶材上残存的污染物；三种放电气体分别经质量流量计，混合进入真空反应室，再控制真空反应室压强在0.7～1.0Pa，衬底温度为180～220℃，射频功率于100～200W。
3.如权利要求2所述的含氮的锗碳合金膜材料的制备方法，其特征是，调节靶与衬底的距离为8cm，衬底温度为200℃，射频功率为150W，在氮气流量为15～18SCCM情况下，保持Ar和CH4流量比值为8。
4.如权利要求2或3所述的含氮的锗碳合金膜材料的制备方法，其特征是，所述的放电气体，N2、CH4和Ar的纯度在99.99％或更高。
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