[发明专利]制造用于二次电池的阴极的组合物和方法在审
申请号: | 201110434095.4 | 申请日: | 2011-12-22 |
公开(公告)号: | CN103022479A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 金东建;金思钦;金映俊;宋俊昊;赵祐奭;金点洙;金相珉 | 申请(专利权)人: | 现代自动车株式会社;电子部品研究院 |
主分类号: | H01M4/58 | 分类号: | H01M4/58 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 用于 二次 电池 阴极 组合 方法 | ||
1.一种用于锂二次电池的阴极组合物,其包括:式LixNa2-xMnPO4F的化合物。
2.根据权利要求1所述的阴极组合物,其中所述式LixNa2-xMnPO4F的化合物具有约300nm或更小的一次粒度。
3.根据权利要求1所述的阴极组合物,其中将所述式LixNa2-xMnPO4F的化合物用碳涂覆。
4.根据权利要求3所述的阴极组合物,其中涂覆的式LixNa2-xMnPO4F的化合物具有约3.7V至约4.0V的放电势坪。
5.一种制备用于锂二次电池的阴极组合物的方法,其包括:
(i)通过球磨混合氧化钠(Na)或其前体、氧化锰(Mn)或其前体、磷酸盐(P)或其前体、和氟化物(F)或其前体,以制备混合物;
(ii)在空气气氛下在约300℃预处理步骤(i)的混合物约2小时;
(iii)在约500℃至约550℃烧制预处理的混合物,以合成结构Na2MnPO4F的化合物;和
(iv)通过离子交换将锂源插入到从步骤(iii)制备的结构Na2MnPO4F的化合物中,以制备结构LixNa2-xMnPO4F的用于锂二次电池的阴极组合物。
6.根据权利要求5所述的方法,其中步骤(i)的混合物通过球磨混合约6小时。
7.根据权利要求5所述的方法,其中步骤(iv)还包括通过锂插入/钠脱插将锂离子插入到从步骤(iii)制备的结构Na2MnPO4F的化合物中。
8.根据权利要求5所述的方法,其中步骤(iv)还包括将钠从由步骤(iii)制备的结构Na2MnPO4F的化合物中化学脱插,并将锂化学插入到所述结构Na2MnPO4F的化合物中的步骤。
9.根据权利要求5所述的方法,还包括:
(v)通过球磨将由步骤(iv)制备的结构LixNa2-xMnPO4F的阴极组合物与碳导电材料以约60∶40至约90∶10的比例混合,以制备涂覆混合物;和
(vi)用所述涂覆混合物涂覆阴极表面以改善导电性。
10.根据权利要求9所述的方法,其中所述碳导电材料选自柠檬酸、蔗糖、super-P、乙炔黑、Ketchen Black、和碳。
11.根据权利要求5所述的方法,其中所述氧化钠的前体选自磷酸钠、碳酸钠、氢氧化钠、醋酸钠、硫酸钠、亚硫酸钠、氟化钠、氯化钠、溴化钠、及其任何混合物。
12.根据权利要求5所述的方法,其中所述氧化锰的前体选自金属锰、氧化锰、草酸锰、醋酸锰、硝酸锰、及其任何混合物。
13.根据权利要求5所述的方法,其中所述磷酸盐的前体选自磷酸铵、磷酸钠、磷酸钾、及其混合物。
14.根据权利要求5所述的方法,其中所述锂源是LiBr或LiI。
15.根据权利要求12所述的方法,其中用至少0.5M的LiBr或至少0.5M的LiI进行所述离子交换。
16.一种制备具有改善的导电性的阴极表面的方法,其包括:
(i)通过球磨混合氧化钠(Na)或其前体、氧化锰(Mn)或其前体、磷酸盐(P)或其前体、和氟化物(F)或其前体,以制备混合物;
(ii)在空气气氛下在约300℃预处理步骤(i)的混合物约2小时;
(iii)在约500℃至约550℃烧制预处理的混合物,以合成结构Na2MnPO4F的化合物;
(iv)通过离子交换将锂源插入到从步骤(iii)制备的结构Na2MnPO4F的化合物中,以制备结构LixNa2-xMnPO4F的用于锂二次电池的阴极组合物;
(v)通过球磨将由步骤(iv)制备的结构LixNa2-xMnPO4F的阴极组合物与碳导电材料以约60∶40至约90∶10的比例混合,以制备涂覆混合物;和
(vi)用所述涂覆混合物涂覆阴极表面,从而制备具有改善的导电性的阴极表面。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于现代自动车株式会社;电子部品研究院,未经现代自动车株式会社;电子部品研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110434095.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。