[发明专利]含噻吩有机半导体材料及其制备方法和有机电致发光器件

权利要求书

1.一种含噻吩有机半导体材料，其特征在于，具有如下化学结构通式：

式中，R为甲基、乙基或者叔丁基中的任意一种。

2.一种含噻吩有机半导体材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、提供如下化合物：

化合物I：化合物II：其中，化合物式II中，R为甲基、乙基或者叔丁基中的任意一种；

S2、在惰性气体氛围内，将化合物I和II以摩尔比1∶2～1∶3溶于含有催化剂和碱溶液的有机溶剂中，于70～120℃加热回流条件下进行Suzuki反应20～48h，制得如下化学结构通式的含噻吩有机半导体材料：

3.根据权利要求2所述的含噻吩有机半导体材料的制备方法，其特征在于，还包括纯化步骤：

S3、待步骤S2反应结束后，将反应液倒入饱和氯化铵的水溶液中，用二氯甲烷萃取反应液，获得有机相；随后有机相用氯化钠水溶液洗、干燥、旋蒸除去溶剂后得到粗产物，且粗产物经过硅胶柱层析分离提纯，最后得到纯化的含噻吩有机半导体材料。

4.根据权利要求2或3所述的含噻吩有机半导体材料的制备方法，其特征在于，步骤S2中，所述催化剂为四(三苯基膦)钯、三(二亚苄基丙酮)二钯或双(三苯基磷)二氯化钯。

5.根据权利要求4所述的含噻吩有机半导体材料的制备方法，其特征在于，步骤S2中，所述催化剂的摩尔用量为化合物I摩尔用量的0.001～0.1倍。

6.根据权利要求2或3所述的含噻吩有机半导体材料的制备方法，其特征在于，步骤S2中，所述碱溶液为Cs₂CO₃溶液、K₂CO₃溶液或Na₂CO₃溶液。

7.根据权利要求2或3所述的含噻吩有机半导体材料的制备方法，其特征在于，步骤S2中，所述有机溶剂为四氢呋喃、乙二醇二甲醚或甲苯。

8.一种有机电致发光器件，其特征在于，其发光层材料包括权利要求1所述的具有如下结构通式的所述含噻吩有机半导体材料：

式中，R为甲基、乙基或者叔丁基中的任意一种。