[发明专利]SONOS存储器有效
申请号: | 201110435798.9 | 申请日: | 2011-12-22 |
公开(公告)号: | CN103178063A | 公开(公告)日: | 2013-06-26 |
发明(设计)人: | 陈广龙;谭颖 | 申请(专利权)人: | 上海华虹NEC电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/115 | 分类号: | H01L27/115;H01L29/792 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 丁纪铁 |
地址: | 201206 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | sonos 存储器 | ||
1.一种SONOS存储器,其特征在于,包括数据储存的主区域和备份区域;
所述主区域的存储单元由一个第一SONOS晶体管组成;
所述备份区域的存储单元由两个第二SONOS晶体管组成,两个所述第二SONOS晶体管连接形成SONOS闩锁晶体管结构;所述SONOS闩锁晶体管的两个所述第二SONOS晶体管的源极连接在一起,一个所述第二SONOS晶体管的栅极接一个字线、另一个所述第二SONOS晶体管的栅极接另一个的字线,一个所述第二SONOS晶体管的漏极接一个位线、另一个所述第二SONOS晶体管的漏极接另一个的位线;
所述第二SONOS晶体管的沟道长度大于所述第一SONOS晶体管的沟道长度,所述第二SONOS晶体管的沟道宽度大于所述第一SONOS晶体管的沟道宽度。
2.如权利要求1所述SONOS存储器,其特征在于:所述第一SONOS晶体管的尺寸采用最小设计规则,该最小设计规则的尺寸范围为所述第一SONOS晶体管的沟道长度小于1微米、沟道宽度小于1微米。
3.如权利要求1所述SONOS存储器,其特征在于:所述第二SONOS晶体管的尺寸范围为:沟道宽度大于0微米小于等于10微米、沟道长度大于0微米小于等于2微米。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的