[发明专利]非易失性存储装置

权利要求书

1.一种非易失性存储装置，其包括：

位线，与可电写入地存储逻辑值的非易失性的存储元件连接，被施加大小与存储在该存储元件中的逻辑值对应的电压；

充电单元，在进行施加于所述位线的电压的大小与施加于参考电压线的参考电压的大小的比较来识别所述逻辑值时，在该比较前，所述充电单元利用大小与所述参考电压的大小相当的电压对该位线充电；

电压生成单元，连接在所述参考电压线与所述位线之间，并具有在以所述充电单元进行充电时产生耦合电荷的电容负载，利用该电容负载生成所述参考电压线的电压的大小与所述位线的电压的大小之差所对应的电压来作为表示所述比较结果的电压；以及

电荷吸收单元，吸收上述电容负载所产生的耦合电荷。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，其中，所述电荷吸收单元生成与所述耦合电荷等量的相反极性的电荷，并利用生成的电荷来吸收该耦合电荷。

3.根据权利要求1或2所述的非易失性存储装置，其中，所述电荷吸收单元的结构包括：

场效应晶体管，具有连接在所述参考电压线与所述电容负载的接点上的栅极端子；

电压施加单元，在从所述存储元件进行所述逻辑值的读取开始直到结束为止的读取期间内，所述电压施加单元对该场效应晶体管的源极端子及漏极端子施加接地电压，并在该读取期间以外的期间内，所述电压施加单元对所述源极端子及所述漏极端子施加大小与所述参考电压的大小相当的电压。

4.根据权利要求1～3中任意一项所述的非易失性存储装置，其中，所述电容负载为多个场效应晶体管串联而成的串联电路。

5.根据权利要求1～4中任意一项所述的非易失性存储装置，还包括：

放电单元，被插入在所述位线中作为与所述充电单元的接点的充电点和所述存储元件之间，并进行如下动作，即在以该充电单元对该位线进行充电的充电期间的初期使该位线放电；和

切换单元，被插入在所述位线中的所述充电点和所述放电单元之间，并以在所述初期使该充电点和该放电单元之间的电流路径成为非导通状态，而在所述充电期间的所述初期以外的期间内使该电流路径成为导通状态的方式切换所述非导通状态和所述导通状态。

6.根据权利要求5所述的非易失性存储装置，其中，所述切换单元具有场效应晶体管，通过将该场效应晶体管的源极端子与漏极端子之间切换为导通状态和非导通状态而切换所述电流路径的导通状态和非导通状态。