[发明专利]抑制辐射引起的背栅泄漏电流的SOI器件及其制备方法

权利要求书

1.一种抑制辐射引起的背栅泄漏电流的SOI器件，所述SOI器件包括半导体衬底(1)、埋氧层(2)、半导体体区(3)、栅区(5)、源区和漏区(7)、栅侧墙(8)以及LDD区(9)，其特征在于，在所述半导体体区(3)引入两个防止泄漏通道的隔离保护层(4)，所述隔离保护层(4)位于半导体体区(3)中埋氧层(2)的正上方，分别紧临源区和漏区(7)。

2.如权利要求1所述的SOI器件，其特征在于，所述隔离保护层的高度为几十纳米，略大于SOI器件的半导体体区全反型时的耗尽区宽度。

3.如权利要求1所述的SOI器件，其特征在于，所述隔离保护层(4)的宽度与LDD区(9)的宽度相同。

4.如权利要求1所述的SOI器件，其特征在于，所述隔离保护层的禁带宽度远远大于硅的禁带宽度。

5.抑制辐射引起的背栅泄漏电流的SOI器件的制备方法具体包括以下步骤：

1)准备SOI基片，包括半导体衬底、埋氧层和上层区；

2)利用第一光刻版，采用光刻技术，留出半导体体区的图形，刻蚀上层区，控制刻蚀时间和刻蚀深度，直到刻蚀至SOI基片中的埋氧层；

3)淀积一层隔离保护层材料，化学机械平坦化CMP平坦化；

4)利用第二光刻版，采用光刻技术，刻蚀并控制刻蚀时间和深度，刻蚀至埋氧层停止，形成隔离保护层；

5)向上外延一层外延体，化学机械平坦化CMP平坦化；

6)淀积一层薄栅介质和栅电极的材料后，利用第二光刻版，进行光刻对准后，进行光刻，形成器件的栅区；

7)进行LDD区注入，形成器件的LDD区；

8)淀积一层栅侧墙的材料后，利用第一光刻版，进行光刻对准后，进行光刻，形成器件的栅侧墙；

9)进行器件的源区和漏区注入，热退火激活杂质后形成器件的漏区和漏区，同时形成半导体体区。

6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在步骤5)中所述外延体的半导体材料与上层区的半导体材料相同。

7.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在步骤6)中所述薄栅介质的材料为二氧化硅或者高K材料。

8.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在步骤6)中所述栅电极的材料为多晶硅或者金属。

9.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在步骤8)中所述栅侧墙的材料为二氧化硅或者氮化硅。