[发明专利]使用测试单元的闪存中的早期恶化检测

权利要求书

1.一种闪存装置，包括：

多组用户数据存储单元结构，其具有用于使用第一组阈值基准电压来读取每一个单元内容的部件；以及

一组测试存储单元结构，其散布在用户数据存储单元结构之中，并具有用于使用第二组阈值基准电压来读取每一个单元的内容的部件，并且其中第二组阈值基准电压提供允许在用户数据存储单元结构之前的测试存储单元结构中检测恶化的更紧密的一组阈值电压。

2.如权利要求1所述的装置，进一步包括：

第一组测量单元，其中每一个测量单元连接到至少一个对应的测试存储单元，测量单元产生作为读操作中测试存储单元的阈值电压的量度的、基于测试存储单元的读操作的完成时间的测量信号；以及

第一漂移分析器，接收测量信号，并确定测试存储单元的测量信号的当前漂移值。

3.如权利要求2所述的装置，进一步包括：

第二组测量单元，其中每一个测量单元连接到所选择的用户数据存储单元并产生作为读操作中用户数据存储单元的读操作的完成时间的度量的测量信号；以及

第二漂移分析器，从该组测量单元接收测量信号，并确定测量信号的当前漂移值。

4.如权利要求2所述的装置，其中，漂移分析器产生输出信号，所述输出信号指示当前漂移值与基准漂移值相差了多于阈值量。

5.如权利要求4所述的装置，其中，漂移分析器进一步包括：

最大检测器，其输出与来自第一组测量单元的测量信号中的最大电压对应的第一电压；

最小检测器，其输出与来自第一组测量单元的测量信号中的最小电压对应的第二电压；以及

用于将最大电压与最小电压之间的delta确定为当前漂移值的部件。

6.如权利要求4所述的装置，进一步包括用于响应于漂移分析器的输出信号将该组存储单元上记录的数据移动到第二组存储单元的部件。

7.如权利要求1所述的装置，其中，从闪存控制器磨损评级动作中排除测试单元。

8.如权利要求1所述的装置，其中，测试存储单元包括能够调整的读阈值电压部件。

9.如权利要求1所述的装置，其中，测试存储单元包括能够调整的写阈值电压部件。

10.如权利要求9所述的装置，进一步包括用于以恶化敏感写阈值电压写入测试存储单元的部件，其中所述恶化敏感写阈值电压具有比用于用户数据存储单元的写阈值电压更高的对于电压恶化的敏感性。

11.一种操作闪存装置的方法，包括：

通过使用具有比用于用户数据存储单元的读阈值电压更高分辨率的所选择的读阈值电压顺序地读取一组测试存储单元来获得恶化信息，该组测试存储单元散布在一组用户数据存储单元之中；以及

使用恶化信息来分配从用户数据存储单元读取的数据的错误概率，所述用户数据存储单元与测试存储单元相关联。

12.如权利要求11所述的方法，其中，分配错误概率进一步包括创建错误条估计并使用错误条估计。

13.如权利要求11所述的方法，进一步包括：

基于该组测试存储单元的读操作的完成时间来产生第一组测量值，每一个测量值指示读操作中测试存储单元之一的阈值电压；以及

分析第一组测量值中的漂移，以确定该组测试存储单元的当前漂移值。

14.如权利要求13所述的方法，进一步包括：

基于该组用户数据存储单元的读操作的完成时间来产生第二组测量值，每一个测量值指示读操作中用户数据存储单元之一的阈值电压；以及

分析第二组测量值中的漂移，以确定该组用户数据存储单元的当前漂移值。

15.如权利要求11所述的方法，进一步包括以具有比用于用户数据存储单元的写阈值电压更高的对于电压恶化的敏感性的恶化敏感写阈值电压来写入测试存储单元。

16.如权利要求15所述的方法，进一步包括使用读阈值电压的序列来顺序地读取测试存储单元。

17.如权利要求11所述的方法，进一步包括通过确定对于多个写阈值电压的干扰响应并基于干扰响应选择恶化敏感写阈值电压来确定恶化敏感写阈值电压。