[发明专利]用于静电保护的半导体元件的制造方法无效
| 申请号： | 201110436179.1 | 申请日： | 2011-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN103094101A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 金镇亨;林旼贞 | 申请（专利权）人： | 金镇亨 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶 |
| 地址： | 韩国大*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 静电 保护 半导体 元件 制造 方法 | ||
1.用于静电保护的半导体元件的制造方法，该用于静电保护的半导体元件位于电子设备的输入端并保护电子设备免受过电压，其特征在于，包括：
第一步骤，在由硅片或玻璃基板构成的基底基板上形成下基板；
第二步骤，在所述下基板的上面形成具有规定间隙的一对金属电极；
第三步骤，在一对所述金属电极上面通过光刻工艺指定电极焊盘区域并形成上基板；及
第四步骤，封装元件并完成。
2.如权利要求1所述的用于静电保护的半导体元件的制造方法，其特征在于，所述下基板通过薄板层叠电介质膜而形成。
3.如权利要求1所述的用于静电保护的半导体元件的制造方法，其特征在于，所述下基板通过沉积25μm以上厚度的氧化膜或氮化膜而形成。
4.如权利要求1所述的用于静电保护的半导体元件的制造方法，其特征在于，一对所述金属电极是在所述下基板的上面上沉积金属籽晶后通过光刻工艺和电镀方式而形成。
5.如权利要求4所述的用于静电保护的半导体元件的制造方法，其特征在于，一对所述金属电极通过采用负性光刻胶方式的光刻工艺来形成微细间隙。
6.如权利要求1所述的用于静电保护的半导体元件的制造方法，其特征在于，在由一对所述金属电极形成的间隙的上部，利用感光物质形成上基板来使间隙内部填充有空气。
7.如权利要求1至6中任一项所述的用于静电保护的半导体元件的制造方法，其特征在于，所述第四步骤中，在去除硅片或玻璃基板后通过引线键合来进行塑料封装。
8.如权利要求1至6中任一项所述的用于静电保护的半导体元件的制造方法，其特征在于，所述第四步骤中，不去除硅片或玻璃基板而在所述电极焊盘区域上形成金属凸块焊盘来进行芯片级封装。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
