[发明专利]一种液晶显示装置、阵列基板及其制造方法有效
申请号: | 201110436208.4 | 申请日: | 2011-12-22 |
公开(公告)号: | CN102778793A | 公开(公告)日: | 2012-11-14 |
发明(设计)人: | 宋省勋;马俊才 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1333;H01L27/02;H01L21/77 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人: | 张颖玲;程立民 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 液晶 显示装置 阵列 及其 制造 方法 | ||
1.一种阵列基板,包括栅线、数据线及二者交叉定义的多个像素单元,每个像素单元内还包括像素电极,其特征在于,在所述阵列基板的所述数据线的两侧区域设置有阻断结构。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板的每个像素单元内还包括公共电极,所述公共电极覆盖整个像素区,所述像素电极包括镂空的狭缝,所述阻断结构位于所述像素电极和所述公共电极之间。
3.根据权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于,所述阻断结构的材料包括氮化硅、二氧化硅或树脂材料,所述阻断结构包括凸起结构或凹陷结构。
4.根据权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括钝化层或绝缘层,所述阻断结构在所述像素单元的非显示区的所述钝化层或所述绝缘层形成。
5.根据权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于,所述阻断结构的长边不长于所述像素电极的长边。
6.根据权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于,所述阻断结构延伸到所述像素电极的一端的下方。
7.根据权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于,所述阻断结构为凸起结构,所述凸起结构的厚度大于所述像素电极的厚度。
8.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述阻断结构为凹陷结构,所述凹陷结构的长度大于所述狭缝的宽度。
9.根据权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于,在所述栅线的两侧区域还设置所述阻断结构。
10.一种阵列基板的制造方法,其特征在于,该方法包括:
形成栅线、绝缘层、薄膜晶体管、数据线和钝化层;
在所述数据线的两侧区域设置阻断结构,并形成像素电极。
11.根据权利要求10所述的制造方法,其特征在于,所述方法还包括形成公共电极,所述公共电极覆盖整个像素区,所述像素电极包括镂空的狭缝。
12.根据权利要求10或11所述的制造方法,其特征在于,所述在所述数据线的两侧区域设置阻断结构包括:
形成一层钝化层薄膜或一层绝缘层薄膜后,光刻并刻蚀,在所述钝化层薄膜或绝缘层薄膜上对应像素单元的非显示区域形成所述阻断结构;
或,形成一层钝化层薄膜或一层绝缘层薄膜后,再在对应像素单元的非显示区域进行一次只对阻断结构的膜层沉积而形成所述阻断结构。
13.一种液晶显示装置,包括对盒的上基板、下基板,以及上下基板间的液晶,其特征在于,所述下基板为权利要求1-9任一项所述的阵列基板。
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