[发明专利]一种液晶显示装置、阵列基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示器技术，尤其涉及一种液晶显示装置、阵列基板及其制造方法。

背景技术

高级超维场转换技术(ADSDS，ADvanced Super Dimension Switch)，简称ADS技术，通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场开关技术可以提高薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点。

ADS技术克服了常规平面方向转换(IPS，In-Plane-Switching)技术透光效率低的问题，在宽视角的前提下，实现高的透光效率。

ADS技术跟IPS技术不同，ADS技术的液晶面板(panel)的公共电极和像素电极在不同层，分别是狭缝状电极和板状电极，并且ADS液晶面板的公共电极和像素电极都由透明电极所组成，可以实现高透光率。另外，ADS液晶面板的像素电极间距离比IPS液晶面板窄很多，因此会产生更强的多维电场，对于液晶，将会增加实效电压，进而使驱动电压降低，可以大大提高透光率。如图1的ADS技术的液晶面板剖面图所示，液晶面板由上下基板对盒形成，上下基板之间填充有液晶，上基板、即彩膜基板有阻光膜(BM，Black Matrix)2、彩膜(color resin)3、平坦膜(overcoat)4以及在玻璃基板19的外层形成的防止静电的导电膜(outside ITO)1；下基板包括第二导电膜(2nd ITO)6、钝化层(passivation)7、数据线(data line)8、非晶硅层(a-Si)9、绝缘层(insulator)10、第一导电膜(1st ITO)11和玻璃基板12；在上基板与下基板之间有液晶(LC)5；其中，第一导电膜11为公共电极，为板状电极，第二导电膜6为像素电极，该像素电极包括镂空的狭缝，为狭缝状电极。图2为ADS技术的液晶面板的部分平面图，包括数据线8、公共电极11、像素电极6、过孔(contact hole)13、非晶硅薄膜晶体管9的源漏极14、栅线15等，其中图2中A区域的剖面图如图3所示，可以看出公共电极11的上层为绝缘层10，绝缘层10的上层有非晶硅薄膜晶体管9，在非晶硅薄膜晶体管9的上层为数据线8，数据线8的上层为钝化层7，钝化层的上层为像素电极6。

但是，以ADS方式驱动液晶时，液晶面板的公共电极位于像素电极下部，对于数据线附近液晶的电场方向不统一，因此调白色画面(需充分施加电压)时，会出现像素电极的末端局部呈黑色、亮度不均的现象。如图4所示，当触碰液晶面板时，触碰点处像素的液晶配向16将更往里延长，使亮度不均面积更为扩散，直到不触碰，一段时间也不能还原。

发明内容

有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种液晶显示装置、阵列基板及其制造方法，能够阻止液晶配向异常往里延长，防止在触碰液晶面板时，产生亮度不均的现象。

为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：

本发明提供的一种阵列基板，包括栅线、数据线及二者交叉定义的多个像素单元，每个像素单元内还包括像素电极，在所述阵列基板的所述数据线的两侧区域设置有阻断结构。

上述方案中，所述阵列基板的每个像素单元内还包括公共电极，所述公共电极覆盖整个像素区，所述像素电极包括镂空的狭缝，所述阻断结构位于所述像素电极和所述公共电极之间。

上述方案中，所述阻断结构的材料包括氮化硅、二氧化硅或树脂材料，所述阻断结构包括凸起结构或凹陷结构。

上述方案中，所述阵列基板还包括钝化层或绝缘层，所述阻断结构在所述像素单元的非显示区的所述钝化层或所述绝缘层形成。

上述方案中，所述阻断结构的长边不长于所述像素电极的长边。

上述方案中，所述阻断结构延伸到所述像素电极的一端的下方。

上述方案中，所述阻断结构为凸起结构，所述凸起结构的厚度大于所述像素电极的厚度。

上述方案中，所述阻断结构为凹陷结构，所述凹陷结构的长度大于所述狭缝的宽度。

上述方案中，在所述栅线的两侧区域还设置所述阻断结构。

本发明提供的一种阵列基板的制造方法，该方法包括：

形成栅线、绝缘层、薄膜晶体管、数据线和钝化层；

在所述数据线的两侧区域设置阻断结构，并形成像素电极。