[发明专利]光刻对准精度检测方法有效
| 申请号： | 201110436380.X | 申请日： | 2011-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN102522360A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 李钢;顾以理;孙贤波;钟政;张迎春;夏建慧;李扬环;刘夏英 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光刻 对准 精度 检测 方法 | ||
1.一种光刻对准精度检测方法，包括：
在半导体衬底上依次形成各层半导体结构，所述各层半导体结构通过光刻和刻蚀工艺获得；
其中，每一层半导体结构的图形分为相对应的工艺区和测试区；
对测试区的对准精度进行测试；
根据对测试区的对准精度的测试结果，检测测试区相对应的工艺区的对准精度；其特征在于，
所述测试区包括对准标识和对准图形，所述对准标识用于显示测试区所对应的层，所述对准图形作为对准精度测试的图形；
每形成一层结构对应的工艺区和测试区后，开始对当前层进行所述对准精度测试；
在上一层的所述对准精度测试完成后，形成当前层结构的工艺区和测试区的同时，在测试区中已完成对准精度测试的对准图形上形成标记；
在测试区找到相应的对准标识，对对准标识旁边未作标记的对准图形进行对准精度测试。
2.如权利要求1所述的光刻对准精度检测方法，其特征在于，形成每一层的工艺区包括：在工艺区所在区域形成光阻层；经过光刻工艺，将所述工艺区中待形成的半导体结构的图形转移至光阻层，形成光阻图形；以所述光阻图形为掩模，通过刻蚀工艺形成当前层的半导体结构。
3.如权利要求1所述的光刻对准精度检测方法，其特征在于，形成测试区包括：在测试区所在区域形成光阻层；经过光刻工艺，将所述测试区中待形成的对准标识和对准图形的图形转移至光阻层，形成光阻图形；以所述光阻图形为掩模，通过刻蚀工艺形成当前层的对准标识和对准图形。
4.如权利要求1所述的光刻对准精度检测方法，其特征在于，在形成所述工艺区的同时形成所述测试区，所述工艺区的对准精度与测试区的对准精度相同。
5.如权利要求1所述的光刻对准精度检测方法，其特征在于，若所述对准图形的对准精度符合要求，则所述工艺区的对准精度也符合要求。
6.如权利要求2或3所述的光刻对准精度检测方法，其特征在于，所述光阻层的材料为光刻胶。
7.如权利要求2或3所述的光刻对准精度检测方法，其特征在于，所述刻蚀工艺包括干法刻蚀、湿法刻蚀中的一种或组合。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
