[发明专利]在抛光由硅组成的半导体晶片之后立即清洁该半导体晶片的方法

权利要求书

1.在化学机械抛光由硅组成的半导体晶片之后立即清洁该半导体晶片的方法，该方法包括以所示顺序进行的以下步骤：

a)将半导体晶片从抛光盘转移至第一清洁模块，其中在转移过程中用水以不大于1000Pa的压力喷射半导体晶片的两个侧面至少一次；

b)在导入水的情况下在旋转的滚筒之间清洁半导体晶片；

c)用含有氟化氢和表面活性剂的水溶液以不大于70000Pa的压力喷射半导体晶片的侧面；

d)用水以不大于20000Pa的压力喷射半导体晶片的侧面；

e)将半导体晶片浸入含水的碱性清洁溶液中；

f)在导入水的情况下在旋转的滚筒之间清洁半导体晶片；

g)用水喷射半导体晶片；及

h)干燥半导体晶片。

2.根据权利要求1的方法，其中步骤b)至d)在第一清洁模块中实施，步骤e)在第二清洁模块中实施，而步骤f)和g)在第三清洁模块中实施。

3.根据权利要求1或2的方法，其中半导体晶片在步骤b)至g)中保持垂直，并绕其中心旋转。

4.根据权利要求1至3之一的方法，其中步骤b)至g)在以下持续时间内实施：

步骤b)的持续时间为不小于10秒且不大于30秒，

步骤c)的持续时间为不小于20秒且不大于30秒，

步骤d)的持续时间为不小于1秒且不大于10秒，

步骤e)的持续时间为不小于40秒且不大于60秒，

步骤f)的持续时间为不小于10秒且不大于30秒，及

步骤g)的持续时间为不小于5秒且不大于10秒。

5.根据权利要求1至4之一的方法，其中从根据步骤a)由抛光盘转移半导体晶片直至根据步骤h)干燥半导体晶片完全结束的耗时不大于360秒。

6.根据权利要求1至5之一的方法，其中在不大于75秒的循环时间之后取出经干燥的半导体晶片。

7.根据权利要求1至6之一的方法，其中经清洁的半导体晶片的直径在200至450mm的范围内。