[发明专利]发光二极管结构有效
| 申请号： | 201110438718.5 | 申请日： | 2011-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN102569580A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 黄靖恩;罗信汯;林子晹 | 申请（专利权）人： | 新世纪光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/14;H01L33/10 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾台南*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 结构 | ||
1.一种发光二极管结构，其特征在于，包含：
一基板；
一第一半导体层，设于该基板上方；
一第一金属电极，设于该第一半导体层上方；
一第二半导体层，设于该第一半导体层上方并与该第一金属电极相邻；
一导电层，设于该第二半导体层上方；
一第二金属电极，设于该导电层上方；以及
至少一透光导电延伸件，设于该导电层上方并与该第二金属电极相接设。
2.如权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，更包含一绝缘件，该绝缘件设于该第二半导体层上方并与该第二金属电极相对。
3.如权利要求2所述的发光二极管结构，其特征在于，其中该绝缘件的面积大于该第二金属电极的面积。
4.如权利要求2所述的发光二极管结构，其特征在于，更包含一绝缘延伸件，该绝缘延伸件设于该第二半导体层上方并接设于该绝缘件，该绝缘延伸件与该透光导电延伸件相对。
5.如权利要求4所述的发光二极管结构，其特征在于，其中该绝缘延伸件的面积大于该透光导电延伸件的面积。
6.如权利要求2所述的发光二极管结构，其特征在于，更包含一反射件，该反射件设于该绝缘件下方。
7.如权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，更包含一反射件，该反射件设于该第二金属电极下方。
8.如权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，其中该透光导电延伸件的材料是选自镍、金、铝、银、铂、铬、钯、锡、锌、钛、铅、锗、铜及上述组任意组合的其中之一。
9.如权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，其中该透光导电延伸件设于该第二金属电极侧边。
10.如权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，其中该透光导电延伸件设于该第二金属电极下方。
11.如权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，其中该导电层为一透明导电层。
12.如权利要求11所述的发光二极管结构，其特征在于，其中该透明导电层的材料是选自于镍/金、氧化铟锡、氧化镉锡、氧化锑锡、透明导电黏剂、氧化锌、氧化锌是及上述组任意组合的其中之一。
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